eFuse应用电路（具有增强过流保护功能）图片

该参考设计提供了构建在小型电路板上的eFuse IC应用电路（具有增强过流保护功能）的设计指南、数据和其他内容。
该电路通过将eFuse IC和用作过流检测器件的ThermoflaggerTM结合使用来提供精确的过流关断。

eFuse应用电路（具有增强过流保护功能）图片
TCKE905ANA TCKE905ANA CEZ6V8 CEZ6V8 CEZ6V8 CEZ6V8 TCTH021BE TCTH021BE TC7SH34FU TC7SH34FU SSM3K35MFV SSM3K35MFV SSM3J35AMFV SSM3J35AMFV

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特点

  • 除了多种eFuse IC保护功能外，还提供精确的过流关断解决方案
  • 构建在一个小型2 cm×2 cm电路板上

说明

输入供电电压 DC 2.7 V至6 V
额定输出电流 1.4 A（典型值），通过适当的电阻设置电流可高达4 A

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
eFuse IC 模组板・1 2.7 V至23 V／4.0 A eFuse IC，34 mΩ，WSON8
过温检测IC 模组板・1 10 μA，漏极开路，过温检测IC
小信号MOSFET 模组板・1 N沟道MOSFET，20 V，0.18 A，3.0 Ω@4 V，SOT-723(VESM)
小信号MOSFET 模组板・1 P沟道MOSFET，-20 V，-0.25 A，1.4 Ω@4.5 V，SOT-723(VESM)
L-MOS VHS系列 模组板・1 单门逻辑（L-MOS），非反相缓冲器，SOT-353(USV)
齐纳二极管 模组板・2 6.8 V齐纳二极管，SOD-523(ESC)
功率MOSFET（N沟道单型30 V<VDSS≤60 V） 基板・4 N沟道MOSFET，40 V，0.00085 Ω@10 V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H
负载开关IC 基板・4 2.7 V至28 V外部MOSFET驱动IC，WCSP6E
L-MOS SHS系列（TC74LCX等效产品） 基板・4 单门逻辑（L-MOS），施密特缓冲器，SOT-363(US6)
点调节器（单路输出） 基板・1 200 mA固定输出LDO稳压器，4.8 V，SOT-25(SMV)
偏置电阻内置晶体管（BRT） 基板・1 NPN偏置电阻内置晶体管（BRT），10 kΩ／10 kΩ，SOT-723(VESM)
偏置电阻内置晶体管（BRT） 基板・4 PNP 偏置电阻内置晶体管（BRT），10 kΩ／10 kΩ，SOT-723(VESM)
开关二极管 基板・2 80 V/0.1 A开关二极管，SOD-523(ESC)

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