TPM1R908QM

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)

  • 相关参考设计(3)

数据表

TPM1R908QM 数据表/日文[Mar,2025]PDF: 625KB

数据表

TPM1R908QM 数据表/英文[Mar,2025]PDF: 539KB

Simulation Model

PSpice Model[May,2025]ZIP: 42KB

Simulation Model

LTspice Model[May,2025]ZIP: 49KB

Simulation Model

SIMetrix Model[May,2025]ZIP: 9KB

Thermal Simulation Model

Simplified CFD Model[Jan,2026]ZIP: 10KB

Reliability Information

Reliability Data[Mar,2026]PDF: 260KB

相关技术数据

Simplified CFD Model Application Note[Nov,2022]PDF: 993KB

Catalog

Selection Guide MOSFETs 2026 Rev1.0[Feb,2026]PDF: 4223KB

数据表

TPM1R908QM 数据表/日文[Mar,2025]PDF: 625KB

数据表

TPM1R908QM 数据表/英文[Mar,2025]PDF: 539KB

相关技术数据

Simplified CFD Model Application Note[Nov,2022]PDF: 993KB

Simulation Model

PSpice Model[May,2025]ZIP: 42KB

Simulation Model

LTspice Model[May,2025]ZIP: 49KB

Simulation Model

SIMetrix Model[May,2025]ZIP: 9KB

Thermal Simulation Model

Simplified CFD Model[Jan,2026]ZIP: 10KB

Reliability Information

Reliability Data[Mar,2026]PDF: 260KB

Catalog

Selection Guide MOSFETs 2026 Rev1.0[Feb,2026]PDF: 4223KB

产品概要

Application Scope High-Efficiency DC-DC Converters / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅩ-H
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name SOP Advance(E)
Package Image 东芝 TPM1R908QM Power MOSFET (N-ch single 60V&lt;VDSS&le;150V)产品 SOP Advance(E) 封装图片
Pins 8
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)		 4.9×6.1×1.0
Package Dimensions 查看
Land pattern dimensions 查看
SamacSys CAD model
(Symbol, Footprint and 3D model)		 Download from SamacSys<br>*1 *2

Download from SamacSys
*1 *2

 Please refer to the link destination to check the detailed size.

*1

SamacSys is a wholly owned subsidiary of Supplyframe, Inc. CAD models (Symbol/Footprint /3D model) are provided by Supplyframe, Inc. The footprints are generated based on the specifications of SamacSys.

*2

Please note that the footprint dimensions may differ from the reference Land Pattern dimensions provided on our website.

绝对最大额定值

项目 符号 值 单位
Drain-Source voltage VDSS 80 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 238 A
Power Dissipation PD 250 W

电气特性

项目 符号 条件 值 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 3.5 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 2.5 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 2.8 mΩ
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 1.9 mΩ
Input capacitance (Typ.) Ciss - 7360 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 108 nC
Output charge (Typ.) Qoss - 111 nC
Reverse recovery time (Typ.) trr - 57 ns
Reverse recovery charge (Typ.) Qrr - 71 nC
购买及样品申请
请联系东芝官方代理商或就近联系我们的销售网点。
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May,2025

May,2025

May,2025

Jan,2026

Mar,2026

*1

LTspice ® is a trademark and simulation software of ADI (Analog Devices, Inc.).

*2

SIMetrix® is simulation software and registered trademarks of SIMetrix Technologies Ltd.

参考设计

采用贴片式SiC MOSFET的3kW服务器和通信电源
近年来，数据中心规模不断扩大，密度不断提升。因此，服务器电源也需要更高效、更强大、更节省空间，高功率密度至关重要。我们采用最新的贴片式SiC器件，将电源从主板分离，并将其作为子板实现，从而实现了高功率密度。
除了服务器应用外，该解决方案还适用于通信系统和其他使用48V的应用。
本参考设计提供了电路各部分的设计要点、使用方法和调整方法的说明，以及电路图、电路板布局等设计信息，可为您的设计提供帮助。
详细信息
采用贴片式SiC MOSFET的AI服务器3kW电源
随着生成式人工智能 (Generation AI) 的快速发展，对高性能人工智能服务器的需求日益增长。本设计是一款专为高功耗AI服务器打造的3kW电源，搭载我们贴片式SiC MOSFET，实现了高功率密度。
我们提供电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和PCB图案等设计信息，供您设计时参考使用。
详细信息
采用SiC MOSFET的3kW电源，适用于电动自行车快速充电器
近年来，随着碳中和理念的日益普及，电动自行车逐渐受到青睐，从而推动了对快速电池充电的需求。本参考设计展示了一款专为电动自行车快速充电器定制的3kW电源。
我们提供电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和PCB板图等设计信息，请将其用于您的设计中。
详细信息

应用

不间断电源
在设计不间断电源（UPS）时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供适用于电源单元、逆变器／转换器单元、控制单元、信号传输单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
详细信息
服务器
在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
详细信息

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