非隔离降压DC-DC转换器

此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。

非隔离降压DC-DC转换器的外观图片
简易方框图

特点

  • 具有同步整流的非隔离降压DC-DC转换器
  • 8种不同输出电压和输出功率的电源电路设计
  • 每个电源电路设计有3种变化

说明

输入电压 DC 12V
输出电压/电流 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A
优化 每种设计都针对50%负载和100%负载以及小尺寸时的效率进行了优化
设计变化 24
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET,30V,0.0032Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET,30V,0.004Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边/低边 N沟道MOSFET,30V,0.0089Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边/低边 N沟道MOSFET,30V,0.011Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET,30V,0.0043Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边/低边 N沟道MOSFET,30V,0.0089Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET,30V,0.011Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.00065Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.00092Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.002Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.0029Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.0048Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.0016Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.0029Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET,30V,0.0052Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H

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