非隔离降压DC-DC转换器

此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。

非隔离降压DC-DC转换器的外观图片
非隔离降压DC-DC转换器的简易方框图

特点

  • 具有同步整流的非隔离降压DC-DC转换器
  • 8种不同输出电压和输出功率的电源电路设计
  • 每个电源电路设计有3种变化

说明

输入电压 DC 12V
输出电压／电流 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A
优化 每种设计都针对50%负载和100%负载以及小尺寸时的效率进行了优化
设计变化 24
非隔离降压DC-DC转换器的效率曲线
效率曲线

设计文档

设计文档包括下列文档。

设计数据

设计数据包括下列内容。

*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边／低边 N沟道MOSFET，30V，0.011Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.002Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.0029Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET，30V，0.0032Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET，30V，0.004Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.0048Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边／低边 N沟道MOSFET，30V，0.0089Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.00065Ω@10V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.00092Ω@10V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET，30V，0.011Ω@10V，TSON Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.0016Ω@10V，TSON Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.0029Ω@10V，TSON Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边 N沟道MOSFET，30V，0.0043Ω@10V，TSON Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 低边 N沟道MOSFET，30V，0.0052Ω@10V，TSON Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单VDSS≤30V) 高边／低边 N沟道MOSFET，30V，0.0089Ω@10V，TSON Advance，U-MOSⅧ-H

相关文档

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题（FAQ）
在新窗口打开