此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。
输入电压 | DC 12V |
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输出电压/电流 | 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A |
优化 | 每种设计都针对50%负载和100%负载以及小尺寸时的效率进行了优化 |
设计变化 | 24 |
设计文档包括下列文档。
设计数据包括下列内容。
器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边/低边 | N沟道MOSFET,30V,0.011Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.002Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0029Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边 | N沟道MOSFET,30V,0.0032Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边 | N沟道MOSFET,30V,0.004Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0048Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边/低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0089Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.00065Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.00092Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边 | N沟道MOSFET,30V,0.011Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅧ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0016Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0029Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边 | N沟道MOSFET,30V,0.0043Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅧ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0052Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 高边/低边 | N沟道MOSFET,30V,0.0089Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅧ-H |