MG250YD2YMS3

SiC MOSFET Modules

产品概要

Feature All SiC MOSFET type
Application High power switching (Power conversion, Motor drive)
Circuit Configuration 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name 2-153A1A
Package Image 2-153A1A
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
152×62×20.5
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain current (DC) ID 250 A
Drain-Source voltage VDSS 2200 V
Channel temperature Tch 150

电气特性

项目 符号 条件 单位
Drain-source on-voltage(Sense terminal) (Typ.) VDS(on)sense ID=250A
Tch=25℃
VGS=20V
0.7 V
Source-drain off-voltage(Sense terminal) (Typ.) VSD(off)sense IS=250A
Tch=25℃
VGS=-6V
1.6 V
Turn-on switching loss (Typ.) Eon - 14 mJ
Turn-off switching loss (Typ.) Eoff - 11 mJ
Reverse recovery loss (Typ.) Err - 1.5 mJ
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Dec,2024

(Note)

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应用

大型太阳能逆变器
在设计大型太阳能逆变器时,高效率和小型化等非常重要。东芝提供了适用于逆变器电路单元、栅极驱动电路单元、信号传输单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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