TW045Z120C

Power SiC MOSFETs

  • 相关参考设计(1)

产品概要

Application Scope Switching regulators
Polarity N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TO-247-4L(X)
Package Image TO-247-4L(X)
Pins 4
Mounting Through Hole
Width×Length×Height
(mm)
15.94×23.45×5.02
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 1200 V
Gate-Source voltage VGSS +25/-10 V
Drain current ID 40 A
Power Dissipation PD 182 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 5.0 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 3.0 V
Drain-Source on-resistance (Typ.) RDS(ON) |VGS|=18V 45
Input capacitance (Typ.) Ciss - 1969 pF
Total gate charge (Typ.) Qg - 57 nC
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Nov,2024

Feb,2024

Oct,2024

Dec,2024

Dec,2024

(Note1)

LTspice ® is a trademark and simulation software of ADI (Analog Devices, Inc.).

(Note2)

SIMetrix® is simulation software and registered trademarks of SIMetrix Technologies Ltd.

(Note3)

PLECS ® is a registered trademark of Plexim, Inc.

参考设计

使用SiC MOSFET的3相逆变器
该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。

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