TK20N60W

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)

  • 相关参考设计(2)

产品概要

Application Scope Switching Voltage Regulators
Polarity N-ch
Generation DTMOSⅣ
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TO-247
Package Image TO-247
Pins 3
Mounting Through Hole
Width×Length×Height
(mm)
15.94×20.95×5.02
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CAD data
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
Drain current ID 20 A
Power Dissipation PD 165 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 3.7 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 2.7 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 155
Input capacitance (Typ.) Ciss - 1680 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 48 nC
Reverse recovery time (Typ.) trr - 330 ns
Reverse recovery charge (Typ.) Qrr - 2900 nC
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(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS
TK20N60W,S1VF 30 Yes

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