TK18A50D

Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V)

产品概要

Application Scope Switching Voltage Regulators
Polarity N-ch
Generation π-MOSⅦ
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TO-220SIS
Package Image TO-220SIS
JEITA SC-67
Pins 3
Mounting Through Hole
Width×Length×Height
(mm)
10.0×15.0×4.5
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CAD data
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 500 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
Drain current ID 18 A
Power Dissipation PD 50 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 4.0 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 2.0 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 270
Input capacitance (Typ.) Ciss - 2600 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 45 nC
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Feb,2019

Oct,2024

(Note)

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可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS
TK18A50D(STA4,Q 50 Yes

应用

IoT传感器
低功耗和小型化等对于IoT传感器的设计非常重要的。东芝提供了适用于电源单元、传感器信号输入单元、控制单元、显示单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
温控器
在设计温控器时,低功耗和小型化等非常重要。东芝提供适用于电源单元、隔离单元、传感器信号输入单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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