TPN11003NL

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)

  • 相关参考设计(1)

产品概要

Application Scope Switching Voltage Regulators / DC-DC Converters
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅧ-H
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TSON Advance
Package Image TSON Advance
Pins 8
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
3.3×3.3×0.85
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CAD data
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 31 A
Power Dissipation PD 19 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 2.3 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 1.3 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 16
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 11
Input capacitance (Typ.) Ciss - 510 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 7.5 nC
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Aug,2022

Aug,2022

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可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS
TPN11003NL,LQ 3000 Yes

参考设计

非隔离降压DC-DC转换器的外观图片
非隔离降压DC-DC转换器
此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。

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