TPH8R808QM

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)

产品概要

Application Scope DC-DC Converters / High-Speed Switching / Switching Voltage Regulators
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅩ-H
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name SOP Advance(N)
Package Image SOP Advance(N)
Pins 8
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
4.9×6.1×1.0
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 80 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 52 A
Power Dissipation PD 109 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 3.5 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 12.5
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 8.8
Input capacitance (Typ.) Ciss - 1750 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 26 nC
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