TKR74F04PB

不推荐用于新设计

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)

  • 相关参考设计(2)

产品概要

Application Scope DC-DC Converters / Automotive / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅨ-H
Internal Connection Single
AEC-Q101 Qualified(*)
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

*: For detail information, please contact to our sales.

封装

Toshiba Package Name TO-220SM(W)
Package Image TO-220SM(W)
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
10.0×13.0×3.5
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Land pattern dimensions 查看
CAD data
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 250 A
Power Dissipation PD 375 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 3.0 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 2.0 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 0.98
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 0.74
Input capacitance (Typ.) Ciss - 14200 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 227 nC
Reverse recovery time (Typ.) trr - 144 ns
Reverse recovery charge (Typ.) Qrr - 180 nC

文档

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Jan,2016

应用

车载V2X
在设计V2X时,降低电源和信号噪声以及降低功耗等非常重要。东芝提供了适用于RF模块单元、电源单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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