iXPLV®SiC MOSFET模块栅极驱动电路

一款用于工业和铁路逆变器／变流器应用的SiC MOSFET模块栅极驱动电路。与东芝的iXPLV封装SiC MOSFET模块兼容，包括MG800FXF2YMS3型号。提供原理图、物料清单（BOM）、PCB布局等设计资源，以及关于设计要点、工作原理和电路调谐的指导，有助于加快SiC模块栅极驱动电路的开发进程。

电路板外观
电路板外观
TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS SSM3K15AFS SSM3K15AFS CRF03A CRF03A SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R

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特点

  • 紧凑型设计，PCB尺寸与东芝iXPLV封装SiC MOSFET模块相匹配（尺寸：68mm×100mm）
  • 单路24V直流输入即可产生+20V／-6.7V栅极驱动电压，并通过缓冲MOSFET实现大电流栅极驱动能力。
  • 具备完善的保护功能，包括DESAT过流保护、UVLO欠压锁定保护、有源米勒钳位（AMC）以及用于故障检测的FLT故障信号输出。

说明

控制电源电压 DC 24V（典型值）
驱动通道数 双通道：低边，高边
栅极控制信号输入 DC 5V（典型值）
栅极驱动输出 ‘+20V（典型值）／-6.7V（典型值）

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
低压差线性稳压器（LDO） 信号接口和栅极驱动电路・4
 高耐压、低静态电流、快速负载瞬态响应CMOS线性稳压器
小信号MOSFET 信号接口、栅极驱动与保护电路・12
 N沟道MOSFET，30V，0.1A，3.6Ω@4V，SOT-416(SSM)
低导通电阻MOSFET 栅极驱动电路，软关断电路・6 N沟道MOSFET，40V，12A，18mΩ@4.5V，TSOP6F
超快恢复二极管 DESAT检测电路・6
 600V／0.7A整流二极管，S-FLAT
低频小信号放大用双晶体管 DESAT检测电路・2
 PNP＋PNP双极型晶体管，-50V，-0.15A，SOT-353(USV)

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