1.6kW 48V输出通信设备电源（升级版）

本参考设计面向通信设备电源应用，采用东芝最新的功率器件和数字隔离器，实现1.6kW 48V电源解决方案。与采用相同拓扑结构的传统设计相比，该方案在高负载条件下可实现更高的转换效率。紧凑的器件配置支持多种外形规格设计，包括标准1U电源。参考设计提供原理图、PCB布局数据及设计指南等完整开发资料，有助于加快电源系统开发进程。

电路板外观
电路板外观
TRS8A65F TRS8A65F TRS8A65F TK125N60Z1 TK125N60Z1 TK125N60Z1 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TPM7R10CQ5 TPM7R10CQ5 TPM7R10CQ5 DCL540C01 TPM1R908QM TPM1R908QM

Click on components for more details

特点

  • 提供完整的功率器件（MOSFET和SiC二极管）及数字隔离器解决方案
  • 采用紧凑型器件配置，该设计支持多种机箱尺寸和应用场景，包括标准1U电源。
  • 总效率95.52%（Vin＝230V，100% 负载条件下）

说明

输入电压 AC 90至264V
输出电压 DC 48V
输出功率 1.6kW
电路拓扑 半无桥PFC，移相全桥＋同步整流，输出ORing电路
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道500V<VDSS≤700V） PFC电路・2 N沟道MOSFET，600V，0.125Ω@10V，TO-247，DTMOSⅥ
SiC肖特基势垒二极管 PFC电路・2 650V／8A SiC肖特基势垒二极管,TO-220F-2L
功率MOSFET（N沟道500V<VDSS≤700V） PSFB电路・4 N沟道MOSFET，650V，0.095Ω@10V，TO-247，DTMOSⅥ
功率MOSFET（单N沟道60V<VDSS≤150V） PSFB电路・4 N沟道MOSFET，150V，0.0071Ω@10V，Qrr＝43nC@100A/μs，SOP Advance€，U-MOSⅩ-H
标准数字隔离器 一次侧与二次侧之间的通信・1 高速四通道数字隔离器，高速，150Mbps，5000Vrms，16引脚宽体SOIC封装
功率MOSFET（单N沟道60V<VDSS≤150V） Oring电路・3 N沟道MOSFET，80V，0.0019Ω@10V，SOP Advance€，U-MOSⅩ-H

Related Documents

We provide materials useful for designing and considering similar circuits, such as application notes for installed products. Please click on each tab to view the contents.

Applications

服务器
在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
详细信息

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题（FAQ）
Membership registration required
在新窗口打开