MOSFET（TPH1R306PL）应用电路的并联操作

该参考设计提供了使用60V MOSFET并联运行以提高输出功率的仿真模型／电路和结果示例。

器件和PCB印制线的寄生电感
仿真电路

特点

  • MOSFET behavior in parallel operation analyzed via circuit simulation
  • Device: TPH1R306PL (SOP Advance package), 60V U-MOSIX-H series
  • Suitable for Secondary-side synchronous rectification for AC-DC and DC-DC power supplies, and primary-side for DC-DC power supplies
  • Provides solution to achieve higher output power

设计文档

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东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（单N沟道30V＜VDSS≤60V） N沟道MOSFET，60V，0.00134Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H

相关文档

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