MOSFET（TPH1R306PL）应用电路的并联操作

该参考设计提供了使用60V MOSFET并联运行以提高输出功率的仿真模型／电路和结果示例。

MOSFET（TPH1R306PL）应用电路的并联操作的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET（TPH1R306PL）应用电路的并联操作的仿真电路

说明

  • 介绍了用TPH1R306PL（SOP Advance封装）进行电路仿真的MOSFET并联操作行为，TPH1R306PL是一款60V U-MOSIX-H产品，适用于AC-DC电源和DC-DC电源的副边同步整流电路和DC-DC电源的原边电路。
  • 显示了并联操作的注意点，并提出了实现更高输出功率的解决方案。

设计文档

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设计数据

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东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（单N沟道30V＜VDSS≤60V） N沟道MOSFET，60V，0.00134Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H

相关文档

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