使用SiC MOSFET的3相逆变器

该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。

PCB照片(逆变器电路板)
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特点

  • 使用1200V SiC MOSFET驱动AC 440V电机
  • 外形尺寸:250mm×145mm(逆变器电路板)
  • 使用适合的SiC MOSFET、光电耦合器、运算放大器等。

说明

电源输入(AC-DC电路板) 3相AC 340V至440V,16A(最大值)
电源输出( AC-DC电路板) DC 530V至600V
电源输入(逆变器电路板) DC 530V至670V
电源输出(逆变器电路板) 3相AC 340V至440V,15A
错误检测 过流(U相/V相/W相)、总线过压、总线过流、过温(2通道)
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡,将其用于电路设计。

设计数据

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*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET 逆变器开关·6 N沟道SiC MOSFET,1200V,0.045Ω(典型值)@18V,TO-247-4L(X),第3代
功率SiC MOSFET 逆变器开关·6 N沟道SiC MOSFET,1200V,0.045Ω(典型值)@18V,TO-247,第3代
光耦(光电IC输出) 栅极驱动IC·6 光耦(光电IC输出),IGBT驱动IC,IOP=+/-4.0A,5000Vrms,SO6L
光耦(隔离放大器) 隔离传感器·5 光耦(隔离放大器),模拟输出,5000Vrms,SO8L(LF4)
比较器(CMOS) 用于错误检测的比较器·3 双比较器(CMOS),7V,+/-3.5V,SOT-505(SM8)
运算放大器(双极) 传感放大器·2 双运算放大器(双极),12V,+/-6V,SOT-505(SM8)
运算放大器(CMOS) 传感放大器·3 双运算放大器(CMOS),7V,+/-3.5V,SOT-505(SM8)
运算放大器(CMOS) 传感放大器2 单运算放大器(CMOS),5.5V,+/-2.75V,SOT-25(SMV)
L-MOS SHS系列(TC74LCX等效) 栅极逻辑控制·3 单门逻辑(L-MOS),2输入/与门,SOT-505(SM8)
点调节器(单路输出) 内部电源·4 200mA固定输出LDO稳压器,5V,SOT-353F(UFV)
小信号MOSFET 光耦驱动IC等·7 N沟道MOSFET,30V,0.1A,3.6Ω@4V,SOT-323(USM)
小型低导通电阻MOSFET 隔离电源开关·2 N-ch MOSFET, 30 V, 15 A, 0.0089 Ω@10V, TSOP6F

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