使用SiC MOSFET的3相逆变器

该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。

PCB照片（逆变器电路板）
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特点

  • 使用1200V SiC MOSFET驱动AC 440V电机
  • 外形尺寸：250mm×145mm（逆变器电路板）
  • 使用适合的SiC MOSFET、光电耦合器、运算放大器等。

说明

电源输入（AC-DC电路板） 3相AC 340V至440V，16A（最大值）
电源输出（ AC-DC电路板） DC 530V至600V
电源输入（逆变器电路板） DC 530V至670V
电源输出（逆变器电路板） 3相AC 340V至440V，15A
错误检测 过流（U相／V相／W相）、总线过压、总线过流、过温（2通道）
效率曲线
效率曲线

设计文档

设计文档包括下列文档。

设计数据

设计数据包括下列内容。

*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET 逆变器开关·6 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.045Ω（典型值）@18V，TO-247-4L(X)，第3代
功率SiC MOSFET 逆变器开关·6 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.045Ω（典型值）@18V，TO-247，第3代
光耦（光电IC输出） 栅极驱动IC·6 光耦（光电IC输出），IGBT驱动IC，IOP＝+/-4.0A，5000Vrms，SO6L
光耦（隔离放大器） 隔离传感器·5 光耦（隔离放大器），模拟输出，5000Vrms，SO8L(LF4)
比较器（CMOS） 用于错误检测的比较器·3 双比较器（CMOS），7V，+/-3.5V，SOT-505(SM8)
运算放大器（双极） 传感放大器·2 双运算放大器（双极），12V，+/-6V，SOT-505(SM8)
运算放大器（CMOS） 传感放大器·3 双运算放大器（CMOS），7V，+/-3.5V，SOT-505(SM8)
运算放大器（CMOS） 传感放大器2 单运算放大器（CMOS），5.5V，+/-2.75V，SOT-25(SMV)
L-MOS SHS系列（TC74LCX等效） 栅极逻辑控制·3 单门逻辑（L-MOS），2输入／与门，SOT-505(SM8)
点调节器（单路输出） 内部电源·4 200mA固定输出LDO稳压器，5V，SOT-353F(UFV)
小信号MOSFET 光耦驱动IC等·7 N沟道MOSFET，30V，0.1A，3.6Ω@4V，SOT-323(USM)
小型低导通电阻MOSFET 隔离电源开关·2 N-ch MOSFET, 30 V, 15 A, 0.0089 Ω@10V, TSOP6F

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