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通过提供浪涌保护，增强设备可靠性的SOD-882小型封装齐纳二极管
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）扩充了其齐纳二极管产品线 - 新增采用SOD-882（CST2）小型封装的CTZ系列，此类产品可保护半导体器件和电源线路免受开关浪涌和静电放电（ESD）等过电压工况影响。CTZ系列共包含20种产品，这些产品的齐纳电压在5.6V至36V之间。
近年来，在设备小型化和贴装高密度化趋势推动下，工业设备与消费类设备越来越需要能够在有限电路板空间内提供过压保护的解决方案。与此同时，电源线和功率控制线也需要合适的保护措施，应对由ESD等因素产生的短时浪涌，以及由开关浪涌和感性负载所引发的、脉宽相对更长的过电压。
CTZ系列齐纳二极管可保护半导体器件免受微秒至毫秒级开关浪涌和感应雷涌，以及接近直流特性的过电压的影响。该产品线包含20种产品，这些产品的齐纳电压范围在5.6V到36V之间，实际可根据电路电压需求灵活选型，应用场景包括低压逻辑电源、各种功率控制线路以及12V和24V电源线路。
该系列产品采用无引线SOD-882（CST2）封装，尺寸规格为1.0×0.6×0.38mm（典型值）。与具有同等特性的传统带引线SOD-523（ESC）封装的东芝CEZ系列相比，此产品系列的表贴面积可减少约53%，因此其更容易安装在密集的电路板和紧凑型设备中。目前，东芝推出的浪涌保护齐纳二极管有十种封装选项，因此设计者可根据安装空间、防护性能要求和目标线路电压工况灵活设计。
同时，为了更好地适应目标线路电压要求和有限的安装空间，CTZ系列还特别扩充了浪涌保护齐纳二极管的可选方案。从而使产品能够在日趋紧凑的电子设备中轻松实现浪涌保护，并提高电路设计的灵活性。
未来，东芝将继续扩充其浪涌保护齐纳二极管的产品线，助力电子设备小型化并提高其可靠性。
特点
- 可提供开关浪涌保护和脉宽较长的过电压保护
- 整个产品线共20种产品，这些产品的齐纳电压范围在5.6V到36V之间
- SOD-882 (CST2) 小型封装有助于降低电路板空间需求
特性说明
1.可提供开关浪涌保护和脉宽较长的过电压保护
静电放电（ESD）电流经由连接器侵入设备内部、通断电源、切换感性负载以及连接或断开外部设备，都会导致电子设备内部的供电线路与信号线路上产生过电压。ESD保护二极管主要用于保护元件免受短时过电压脉冲损坏。而浪涌保护齐纳二极管用于保护元件免受脉冲宽度相对较长且特性接近直流的过电压（例如开关浪涌和雷电感应浪涌）损坏。
CTZ系列产品可将此类过电压钳位在指定电压附近，由此可以降低下游半导体器件和电路的电压应力。此类产品特别适用于需要防静电放电和防开关浪涌的场景，如电源线路、电源控制线路和低速信号线路等。
2.整个产品线共20种产品，这些产品的齐纳电压范围在5.6V到36V之间
在选择用于过电压保护的齐纳二极管时，需要根据被保护线路的正常工作电压以及下游器件的耐压值，选择合适的齐纳电压。CTZ系列共包含20种产品，这些产品的齐纳电压在5.6V至36V之间，可适配各种电路，包括低压逻辑电源、微控制器外设电源线路、各种控制线路，以及12V和24V电源线路。
此外，该系列产品基于E24数系[1]确定标称值，因此方便根据常用电压值进行选型，以及替换现有设计或将其用于衍生产品。
注：
[1]用于定义齐纳电压、导通阻抗值以及其他电气参数标准值的优选数系。
3.SOD-882 (CST2) 小型封装有助于降低电路板空间需求
工业设备和消费类设备中，由于逐渐集成了更多附加功能，因此安装在电路板上的元件不断增多，贴装密度也有所提高，同时受设备持续小型化趋势影响，可用贴装空间正变得越发有限。CTZ系列采用无引线SOD-882（CST2）封装，尺寸规格为1.0×0.6×0.38mm（典型值）。与具有同等特性的传统带引线SOD-523（ESC）封装的东芝CEZ系列相比，此产品系列的表贴面积可减少约53%。
由此可以更加轻松地在连接器附近、电源管理IC周围以及微控制器周围放置保护器件。同时提升电路板布局灵活性，尤其是对于需要将保护器件安放在靠近浪涌侵入点，或是有多条线路需要独立保护的应用场景优势显著。
应用
- 消费设备（家用电器、供电设备等）
- 工业设备（办公自动化设备、供电设备等）
主要规格
（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称，尺寸（mm） | 静电放电电压VESD[2]（kV） | 峰值脉冲电流IPP[3]（A） | 齐纳电压VZ（V） | 钳位电压VC[4][5]（V） | 动态导通阻抗RDYN[4]（Ω） | ||||||
| 典型值 | 输出型式 | 空气法 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试电流IZ（mA） | 典型值 | 典型值 | |||
| CTZ5V6 | SOD-882 (CST2) 1.0×0.6×0.38 |
±30 | 12.0 | 5.3 | 5.6 | 6.0 | 5 | 9.0 | 0.16 |  |
|
| CTZ6V2 | 11.0 | 5.8 | 6.2 | 6.6 | 5 | 10.0 | 0.21 | |
|||
| CTZ6V8 | 10.0 | 6.4 | 6.8 | 7.2 | 5 | 13.0 | 0.27 | |
|||
| CTZ7V5 | 9.5 | 7.0 | 7.5 | 7.9 | 5 | 14.0 | 0.32 | |
|||
| CTZ8V2 | 8.5 | 7.7 | 8.2 | 8.7 | 5 | 16.5 | 0.37 | |
|||
| CTZ9V1 | 8.0 | 8.5 | 9.1 | 9.6 | 5 | 17.0 | 0.44 | |
|||
| CTZ10V | 7.5 | 9.4 | 10.0 | 10.6 | 5 | 19.0 | 0.52 | |
|||
| CTZ11V | 7.25 | 10.4 | 11.0 | 11.6 | 5 | 24.0 | 0.60 | |
|||
| CTZ12V | 7.0 | 11.4 | 12.0 | 12.6 | 5 | 26.0 | 0.70 | |
|||
| CTZ13V | 6.5 | 12.4 | 13.0 | 14.1 | 5 | 27.0 | 0.80 | |
|||
| CTZ15V | 5.6 | 13.8 | 15.0 | 15.6 | 5 | 24.0 | 0.60 | |
|||
| CTZ16V | 5.5 | 15.3 | 16.0 | 17.1 | 5 | 27.0 | 0.50 | |
|||
| CTZ18V | 5.1 | 16.8 | 18.0 | 19.1 | 5 | 28.5 | 0.40 | |
|||
| CTZ20V | 5.0 | 18.8 | 20.0 | 21.2 | 5 | 30.5 | 0.35 | |
|||
| CTZ22V | 4.75 | 20.8 | 22.0 | 23.3 | 5 | 32.0 | 0.40 | |
|||
| CTZ24V | 4.5 | 22.8 | 24.0 | 25.6 | 5 | 36.5 | 0.60 | |
|||
| CTZ27V | ±20 | 4.1 | 25.1 | 27.0 | 28.9 | 2 | 45.0 | 0.90 | |
||
| CTZ30V | 4.0 | 28.0 | 30.0 | 32.0 | 2 | 47.5 | 1.25 | |
|||
| CTZ33V | ±17 | 3.5 | 31.0 | 33.0 | 35.0 | 2 | 57.0 | 1.80 | |
||
| CTZ36V | ±12 | 3.0 | 34.0 | 36.0 | 38.0 | 2 | 63.0 | 2.60 | |
||
注：
[2]根据IEC61000-4-2
[3]根据IEC61000-4-5（tp＝8/20μs）
[4]TLP参数：Z0＝50Ω，tp＝100ns，tr＝300ps，平均窗口：t1＝30ns至t2＝60ns，通过TLP特性的最小二乘法拟合实现ITLP1＝16A到ITLP2＝30A之间的动态导通阻抗提取。
[5]ITLP＝16A
相关内容
Overvoltage protection device Zener diode and ESD protection diode (PDF: 1,231KB)
Selection Guide Small Signal (PDF: 7.9MB)
Mini catalog Introduction of Toshiba Zener Diode for protection (PDF: 569KB)
Queries about purchasing, sampling and IC reliability
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