TRS8A65F

SiC Schottky barrier diode

  • 相关参考设计(1)

产品概要

Application Scope Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters
Feature Chip design of 2nd generation
Number of Circuits 1
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TO-220F-2L
Package Image TO-220F-2L
Pins 2
Mounting Through Hole
Width×Length×Height
(mm)
10.0×15.0×4.5
Package Dimensions 查看

 Please refer to the link destination to check the detailed size.

绝对最大额定值

项目 符号 单位
Forward DC current IF(DC) 8 A
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V

电气特性

项目 符号 条件 单位
Reverse current (Max) IR VRRM=650V 40 μA
Forward Voltage (Max) VF IF=8A 1.6 V
Forward Voltage (Typ.) VF IF=8A 1.45 V
购买及样品申请
请联系东芝官方代理商或就近联系我们的销售网点。
您可以通过以下链接搜索及购买少量样品。

文档

  • 如果该复选框不能被选中,则不能批量下载相应的文档。

Dec,2023

可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS
TRS8A65F,S1Q(S2 50 Yes

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题(FAQ)

Notes

返回列表页
在新窗口打开