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东芝功率器件助力AI算力电源
东芝凭借领先的功率半导体技术，为AI服务器电源提供高效率、低损耗的 MOSFET，帮助客户提升能源利用率，降低数据中心整体运营成本，实现绿 色低碳的AI基础设施建设。
面对AI服务器持续攀升的功率需求和高密度部署趋势，东芝产品具备优异的 开关性能、低导通损耗及高可靠性特性，可广泛应用于PFC、LLC、DC-DC 以及电池备份等关键电源环节。通过提升电源转换效率和功率密度，帮助客 户释放更多机架空间，为AI算力扩展创造更大价值。
AI数据中心供电架构发展(～2030)
AI服务器架构趋势
电源架（Power Shelf）
| 拓扑结构 |
器件型号 | 封装 | VDSS （V） |
RDS(ON) VGS＝10V（最大值） |
|---|---|---|---|---|
| PFC | TK55U60Z1 | TOLL | 600 | 55 |
| TW048U65C | TOLL(SiC) | 650 | 48 | |
| TW027U65C | TOLL(SiC) | 650 | 27 | |
| LLC | TK55U60Z5 | TOLL | 600 | 55 |
| TW048U65C | TOLL(SiC) | 650 | 48 | |
| TW027U65C | TOLL(SiC) | 650 | 27 | |
| 同步整流器 | TPH2R408QM | SOP Advance(N) | 80 | 2.43 |
| TPM1R908QM | SOP Advance(E) | 80 | 1.9 | |
| TPM1R408RH | SOP Advance(E) | 80 | 1.4 | |
| ORing | TPM1R006PL | SOP Advance(E) | 60 | 1 |
| TPH2R408QM | SOP Advance(N) | 80 | 2.43 | |
| TPM1R908QM | SOP Advance(E) | 80 | 1.9 | |
| TPM1R408RH | SOP Advance(E) | 80 | 1.4 |
| 拓扑结构 |
器件型号 | 封装 | VDSS （V） |
RDS(ON) VGS＝10V（最大值） |
|---|---|---|---|---|
| HotSwap | 调研中 | |||
| Full-B(±400VIN) 或 LLC(800VIN) |
开发中 | QDPAK(SiC) | 750 | （3） |
| 开发中 | QDPAK(SiC)) | 750 | （6，10，14） | |
| 开发中 | QDPAK(SiC) | 1200 | （7，12，17） | |
| 同步整流器 | TPM1R408RH | SOP Advance(E) | 80 | 1.4 |
| 开发中 | SOP Advance(E) | 80 | （1.1） | |
| ORing | 开发中 | SOP Advance(E) | 60 | （0.75） |
| TPM1R408RH | SOP Advance(E) | 80 | 1.4 | |
| 开发中 | SOP Advance(E) | 80 | （1.1） | |
| 拓扑结构 |
器件型号 | 封装 | VDSS （V） |
RDS(ON) VGS＝10V（最大值） |
|---|---|---|---|---|
| 主开关 | TPW4R008NH | DSOP Advance | 80 | 4 |
| TPH3R008QM | SOP Advance(N) | 80 | 3 | |
| 同步整流器 | TPWR8004PL | DSOP Advance | 40 | 0.8 |
| TPMR4904RL | SOP Advance(E) | 40 | 0.49 | |
| TPMR4904RM | SOP Advance(E) | 40 | 0.49 | |
| 混合式开关电容 | 开发中 | DDFN3333(SD) | 15 | (0.45) |
| 开发中 | DDFN3333(SD) | 25 | (0.65) | |
| 开发中 | DDFN3333(SD) | 40 | (1.35) | |
| 开发中 | DDFN3333(SD) | 40 | (1.4) | |
| 开发中 | DDFN3333(SD) | 60 | (1.7) | |
| 开发中 | DDFN3333(SD) | 60 | (1.8) | |
| 开发中 | DDFN3333(SD) | 80 | (3.7) |
HV-IBC 800V／±400V转54V
| 拓扑结构 |
器件型号 | 封装 | VDSS （V） |
RDS(ON) VGS＝10V（最大值） |
|---|---|---|---|---|
| HotSwap | 调研中 | |||
| Full-B(±400VIN) 或 LLC(800VIN) |
开发中 | TOLT(SiC) | 750 | （6，10，14） |
| 开发中 | QDPAK(SiC)) | 750 | （6，10，14） | |
| 开发中 | QDPAK(SiC) | 1200 | （21，25，30） | |
| 同步整流器 | 开发中 | DDFN5060 | 80 | （1.4） |
| 开发中 | DDFN5060 | 80 | （1.1） | |
| 开发中 | DDFN5060(SD) | 80 | （0.92） | |
HV-IBC直接输12V／6V
| 拓扑结构 |
器件型号 | 封装 | VDSS （V） |
RDS(ON) VGS＝10V（最大值） |
|---|---|---|---|---|
| HotSwap | 调研中 | |||
| Full-B(±400VIN) 或 LLC(800VIN) |
开发中 | TOLT(SiC) | 750 | （6，10，14） |
| 开发中 | QDPAK(SiC)) | 750 | （6，10，14） | |
| 开发中 | QDPAK(SiC) | 1200 | （21，25，30） | |
| 同步整流器 | 开发中 | DDFN5060 | 40 | （0.49） |
| 开发中 | DDFN5060 | 40 | （0.49） | |
| 开发中 | DDFN5060(SD) | 40 | （0.396） | |
| 开发中 | DDFN5060(SD) | 40 | （0.396） | |
| 开发中 | DDFN5060(SD) | 15 | （0.45） | |
| 开发中 | DDFN5060(SD) | 25 | （0.45） | |
| 开发中 | DDFN5060(SD) | 25 | （0.65） | |
东芝主推产品
U-MOS11-H 80V MOSFET新产品⸺TPM1R408RH
产品亮点：
- 更低导通电阻：采用优化器件结构，实现RDS(ON)＝1.4mΩ（最大值）
- 更低FOM：进一步优化了RDS(ON)与Qg的折中关系，FOM改善约：45%
- 降低EMI
- 新型SOP Advance(E)封装
| 器件型号 | TPM1R408RH | |||
|---|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | VDSS（V） | 80 | ||
| ID（A）（DC） | Tc＝25°C | 288 | ||
| Tch（°C） | 175 | |||
| 电气特性 | RDS(on)（mΩ） | VGS＝10V | 最大值 | 1.4 |
| VGS＝8V | 最大值 | 1.7 | ||
| Qg（nC） | VGS＝10V | 典型值 | 80 | |
| Qsw（nC） | 典型值 | 23 | ||
| Qoss（nC） | 典型值 | 161 | ||
| trr（ns） | 典型值 | 74 | ||
| Qrr（nC） | 典型值 | 115 | ||
| 封装 | 名称 | SOP Advance(E) | ||
| 尺寸（mm） | 典型值 | 4.9×6.1×1.0 | ||
沟槽栅碳化硅（SiC）MOSFET新产品⸺TW007D120E
产品亮点
- 更低RDS(ON)A：自主开发的沟槽栅结构，实现了业界领先的单位面积导 通电阻(RDS(ON)A)水平。RDS(ON)A降低58% 。
- 更低RDS(ON)×Qgd：改善约52%。
- QDPAK封装：支持顶部散热，实现更高功率密度设计，更优散热性能。
| 器件型号 | TW007D120E | |||
|---|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | VDSS（V） | 1200 | ||
| ID（A）（DC） | Tc＝25°C | 172 | ||
| 电气特性 | RDS(on)（mΩ） | VGS＝15V | 典型值 | 7 |
| Vth（V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | ||
| Qg（nC） | VGS＝15V | 典型值 | 317 | |
| Qgd（nC） | VGS＝15V | 典型值 | 33 | |
| Ciss（pF） | VGS＝800V | 典型值 | 13972 | |
| VSD（V） | VGS＝0V | 典型值 | 3.2 | |
| 封装 | 名称 | QDPAK | ||
eFuse电子保险丝／熔断器
电子保险丝／熔断器IC集成了许多高精度和快速响应的功能模块，包括过流、过电压、短路、过热保护等。
电子保险丝能够克服传统保险丝的相关缺陷
产品亮点
- 快速短路保护：短路发生后，在150ns（典型值）内快速切断电流。
- 具有过压钳位电压：根据系统电压设置以防止对负载施加过电压。
- 高精度过电流保护：保持输出电流以防止其超过过电流限制（ILIMIT）的功能。
| 器件型号 |
VIN输入电压范围 | ILIMIT限流范围 | 压摆率控制 | 恢复方式 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| TCKE712BNL | 4.4V～13.2V | 0.51A～3.65A | 可调 | 锁存 | WSON10 3mm×3mm |
| TCKE912NA ／ TCKE912NL | 2.7V～23V | 0.5A～4.0A | 可调 | 自动重试／锁存 | WSON8 2mm×2mm |
| TCKE903QNA ／ TCKE905QNA | 2.7V～23V | 0.5A～4.0A | 可调 | 自动重试 | WSON8 2mm×2mm |
| TCKE603RL | 4.0V～30V | 0.5A～2.5A | 固定 | 锁存 | TSOP6F 2.9mm×2.8mm |
| TCKE1401NM | 4.7V～75V | 0.8A～6.0A | 可调 | 自动重试／锁存 | VQFN24D 4mm×4mm |