48 V总线兼容1.2 V/100 A双降压DC-DC转换器

为了降低数据中心的功耗,服务器的48 V电源越来越受欢迎。该DC-DC转换器可以将48 V总线电压高效地转换为1.2 V/100 A,供服务器上的多个设备使用。提供了电路设计和操作的设计文件和指南,可用作参考设计。

PCB照片(示例)
电路板外观
TPH1400ANH TPH1400ANH TPH5R60APL TPH5R60APL TPH8R903NL TPH8R903NL TPHR9203PL1 TPHR9203PL1

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特点

  • 配备最新一代元件,实现比现有电源更高的效率
  • 总效率83%(100%负载条件下Vin=50 V)
  • 外形尺寸:198 mm×151 mm
  • 全面提供最新功率MOSFET

说明

输入电压 DC 40 V至59.5 V
输出电压 DC 1.2 V
输出功率 120 W
电路拓扑 双降压DC-DC转换器(非隔离同步Buck DC-DC + 非隔离同步Buck DC-DC)
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡,将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET(N沟道单型60V<VDSS≤150V) 第一阶段高边・2 N沟道MOSFET,100 V,0.0136 Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单型60V<VDSS≤150V) 第一阶段低边・2 N沟道MOSFET,100 V,0.0056 Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单型VDSS≤30V) 第二阶段高边・5 N沟道MOSFET,30 V,0.0089 Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ-H
功率MOSFET(N沟道单型VDSS≤30V) 第二阶段低边・5 N沟道MOSFET,30 V,0.00092 Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料,例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

应用

服务器
在设计服务器时,低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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