48 V总线兼容1.2 V/100 A双降压DC-DC转换器

为了降低数据中心的功耗，服务器的48 V电源越来越受欢迎。该DC-DC转换器可以将48 V总线电压高效地转换为1.2 V/100 A，供服务器上的多个设备使用。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。

电路板外观
电路板外观
TPH1400ANH TPH1400ANH TPH5R60APL TPH5R60APL TPH8R903NL TPH8R903NL TPHR9203PL1 TPHR9203PL1

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特点

  • 配备最新一代元件，实现比现有电源更高的效率
  • 总效率83%（100%负载条件下Vin＝50 V）
  • 外形尺寸：198 mm×151 mm
  • 全面提供最新功率MOSFET

说明

输入电压 DC 40 V至59.5 V
输出电压 DC 1.2 V
输出功率 120 W
电路拓扑 双降压DC-DC转换器（非隔离同步Buck DC-DC + 非隔离同步Buck DC-DC）
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道单型60V<VDSS≤150V） 第一阶段高边・2 N沟道MOSFET，100 V，0.0136 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单型60V<VDSS≤150V） 第一阶段低边・2 N沟道MOSFET，100 V，0.0056 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单型VDSS≤30V） 第二阶段高边・5 N沟道MOSFET，30 V，0.0089 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单型VDSS≤30V） 第二阶段低边・5 N沟道MOSFET，30 V，0.00092 Ω@10V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H

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Applications

服务器
在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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