系统电源电路(无功率控制器的方法)

不使用电源管理IC的电源控制电路示例

系统电源电路(无功率控制器的方法)

产品线

TVS二极管

器件型号 DF2B7ASL DF2S14P2CTC DF2B5M4ASL DF2B6M4ASL DF2B6M4BSL
封装 SL2 CST2C SL2 SL2 SL2
VESD[kV] ±30 ±30 ±16 ±15 ±8
VRWM(最大值)[V] 5.5 12.6 3.6 5.5 5.5
Ct(典型值)[pF] 8.5 270 0.15 0.15 0.12
RDYN(典型值)[Ω] 0.2 0.08 0.7 0.7 1.05

小信号MOSFET

器件型号 SSM6K513NU SSM6N55NU SSM6J507NU
封装 UDFN6B UDFN6 UDFN6B
极性 N沟道 N沟道×2 P沟道
VDSS[V] 30 30 -30
ID[A] 15 4 -10
RDS(ON)[mΩ] @VGS=4.5V
典型值 8.0 48 19
最大值 12 64 28

电子保险丝/熔断器(eFuse IC)

器件型号

TCKE800NA

TCKE800NL

TCKE805NA

TCKE805NL

TCKE812NA

TCKE812NL

TCKE712BNL
封装

WSON10B

3.0×3.0×0.75mm

WSON10

3.0×3.0×0.75mm

VIN[V] 4.4至18 4.4至13.2
RON(典型值)[mΩ] 28 53
恢复操作功能 NA:自动重试型
NL:锁存型(外部信号控制)
锁存型(外部信号控制)

VOVC(典型值)[V]

- 6.04 15.0 可调节

N沟道MOSFET栅极驱动IC

器件型号 VIN_OVLO
最小值/最大值[V]
VGS
典型值/最大值[V]
N沟道MOSFET型可驱动 封装
TCK401G 28以上 最大值10
(VIN≥12V)
单高边共源极 WCSP6E
TCK402G
TCK420G 26.50/28.50 10/11
(VIN≥5V)

单高边共漏极

WCSP6G
TCK421G 22.34/24.05
TCK422G
13.61/14.91
TCK423G 13.61/14.91 5.6/6.3
TCK424G 10.35/11.47
TCK425G 5.76/6.87

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