CLS10F40

Small-signal Schottky barrier diode

产品概要

Feature High-speed switching / Low leakage current
Internal Connection Single
Number of Circuits 1
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name CL2E
Package Image CL2E
Pins 2
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
1.0×0.6×0.28
Package Dimensions 查看
Land pattern dimensions 查看
CAD data
(Symbol, Footprint and 3D model)
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Average Forward Current IO 1 A
Reverse Voltage VR 40 V

电气特性

项目 符号 条件 单位
Total Capacitance (Typ.) CT VR=0V
f=1MHz
130 pF
Forward Voltage (Max) VF IF=100mA 0.35 V
Forward Voltage (Max) VF IF=500mA 0.45 V
Forward Voltage (Max) VF IF=1000mA 0.57 V
Forward Voltage (Typ.) VF IF=100mA 0.30 V
Forward Voltage (Typ.) VF IF=500mA 0.41 V
Forward Voltage (Typ.) VF IF=1000mA 0.52 V
Reverse Current (Max) IR VR=40V 0.025 mA
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Mar,2020

Dec,2023

Nov,2024

Nov,2024

可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS Note
CLS10F40,L3F 10000 Yes General Use

应用

运动相机
低功耗和小型化对于运动相机的设计非常重要。东芝提供了适用于电源和充电管理单元、射频电路单元、显示单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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