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40V N沟道车载MOSFET（S-TOGL™高散热、小型封装）产品线扩大
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出40V N沟道车载功率MOSFET“XPJ1R504PB”，扩大了适用于12V系统的产品线。该产品采用S-TOGL™封装，额定电流为120A。
东芝新推出的这款产品属于采用S-TOGL™封装、已量产的40V产品的现有产品线（包括XPJR6604PB和XPJ1R004PB）。东芝进一步扩展了产品种类，从而能够满足各种不同的应用需求及性能要求。
近年来，随着汽车设备电气化程度的不断提高，逆变器和电机驱动器的应用范围也在不断扩大，这使得这些设备的输出功率和效率得到了进一步提升。为了顺应这些趋势，MOSFET必须满足低功率损耗和高散热性能需求。XPJ1R504PB采用S-TOGL™封装，可实现紧凑的高密度贴装和优异的散热性能，有助于减小车载设备的尺寸、提高效率。
车载设备需适用于各种温度环境，因此电路板安装中焊点的可靠性显得尤为重要。S-TOGL™封装采用鸥翼引线，有助于减轻贴装应力，进而提高焊锡接点的可靠性。
这款新产品采用无柱式结构，这种设计将芯片的源极连接端与外部引线整合在一起，从而有效降低了寄生电阻，使得其导通电阻也更低。这样有助于减少导热损耗并抑制热量的产生，从而提升整个系统的效率。该产品也符合AEC-Q101汽车可靠性标准。
东芝将继续推进适合各种应用和系统要求的MOSFET车载产品的开发，助力提高产品在各种车载应用中的效率。
特点
采用S-TOGL™小型封装，封装热阻低，散热性能高。
特性说明
采用S-TOGL™小型封装，封装热阻低，散热性能高
S-TOGL™封装采用无柱式结构，将芯片的源极连接端与外部引线集成在一起，从而省去了内部连接引脚。这样就可以降低寄生电阻，从而实现较低的导通电阻（RDS(ON)）。此外，使用厚铜框架可以降低通道与外壳之间的瞬态热阻抗，从而有助于缩小设备的体积并减少功率损耗。此外，源极引脚采用多针结构设计，有助于改善电流分布，从而使其具备较高的电流承载能力。
应用
- 车载设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等
主要规格
（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）
| 器件型号 | XPJ1R504PB | XPJR6604PB[1] | XPJ1R004PB[1] | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 极性 | N沟道 | |||||
| 绝对最大额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 40 | ||||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 120 | 200 | 160 | |||
| 漏极电流（脉冲）IDP（A） | 360 | 600 | 480 | |||
| 结温Tch（°C） | 175 | |||||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝6V | 最大值 | 2.67 | 1.16 | 1.8 |
| VGS＝10V | 最大值 | 1.54 | 0.66 | 1.0 | ||
| 栅极阈值电压 Vth（V） |
VDS＝10V | 2.0至3.0 | ||||
| 输入电容 Ciss（pF） |
VDS＝10V，VGS＝0V，f＝300kHz | 典型值 | 4100 | 8750 | 5300 | |
| 热特性 | 通道与外壳之间的热阻 Zth(ch-c)（°C/W） |
Tc＝25°C | 最大值 | 0.76 | 0.4 | 0.67 |
| 封装 | S-TOGL™ | |||||
| 系列 | U-MOSⅨ-H | |||||
| 库存查询与购买 |  |
|
|
|||
注：
[1]现有产品
相关内容
ABS/ESC, Electric Brake Booster, Electric Parking Brake (Type of N-ch MOSFETs) (PDF: 1.25MB)
Junction Box (PDF: 1.34MB)
购买、样品、及IC可靠性查询
库存查询与购买
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*S-TOGL™是东芝电子器件与存储株式会社的商标。
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