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40V N沟道功率MOSFET“XPMR7404PB”采用SOP Advance(EWF)封装，有助于提高产品在车载设备中的效率和大电流的能力
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出40V N沟道功率MOSFET“XPMR7404PB”。这款产品采用新型SOP Advance(EWF)封装，适用于逆变器、半导体继电器、负载开关和电机驱动等车载应用。
该产品采用经过优化的封装结构，实现了低损耗和高散热性能，因此可满足产品在车载设备中具有更高效率和更大电流等实际应用需求，在实际应用中有助于降低功耗、提高可靠性。
SOP Advance(EWF)封装采用无柱式结构，利用铜夹实现芯片与外部引线的集成（图1）。与传统结构相比，这种制造工艺减小了电流通路的电阻，提高了载流能力。此外，源极耦合结构连接封装背面的源极端子（图2），增大了与电路板的连接区域，从而降低了封装热阻，提高了散热性能。
除了这些结构特性外，该产品的内部设计经过优化，实现了低漏源导通电阻e（RDS(ON)）以及通道与外壳之间的低热阻（Zth(ch-c)）， 因此有助于在应用设备中降低损耗和提高效率。
这种封装还采用了可润湿侧翼结构[1]，提高了焊锡接点的能见度，可通过全自动外观检测（AVI）促进贴装质量检测，有助于提高生产效率和可靠性。
该产品遵循针对车载应用的AEC-Q101车载分立半导体器件可靠性测试标准，可满足车载应用的高质量要求。
东芝将继续加强功率半导体产品线，利用高度可靠的高效产品，促进车载设备的进步，从而助力实现碳中和。
注：
[1]可润湿侧翼：封装侧面引线的形状
特点
- 低RDS(ON)
- 低Zth(ch-c)
- SOP Advance(EWF)封装采用可润湿侧翼结构，便于对电路板贴片条件进行全自动外观检测
特性说明
1.低RDS(ON)
新产品采用的SOP Advance(EWF)封装具有无柱式结构和源极耦合结构，与现有的SOP Advance(WF)封装相比，将封装热阻降低了约54%。与现有的SOP Advance(WF)封装产品XPHR7904PS相比，XPMR7404PB将导通电阻RDS(ON)降低了约6%；目前正处于开发阶段的XPMR5904PB可将导通电阻RDS(ON)降低约25%，有助于在实际应用中降低损耗和提高效率。
![图3：导通电阻R<sub>DS(ON)</sub><sup>[3]</sup>对比](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/mosfets/articles/40v-n-channel-power-mosfet-xpmr7404pb-with-sop-advance-ewf-package-contributing-to-higher-efficiency-and-larger-current_03_en.png)
注：
[2]开发中
[3]测量条件：VGS＝10V、Ta＝25°C
2.低Zth(ch-c)
![图4：通道与外壳之间的热阻Z<sub>th(ch-c)</sub><sup>[4]</sup>对比](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/mosfets/articles/40v-n-channel-power-mosfet-xpmr7404pb-with-sop-advance-ewf-package-contributing-to-higher-efficiency-and-larger-current_04_en.png)
与现有产品XPHR7904PS相比，XPMR7404PB将通道与外壳之间的热阻Zth(ch−c)降低了约33%，而目前正处于开发阶段的XPMR5904PB可将该热阻降低约38%。较低的热阻可抑制温升和降低导通电阻RDS(ON)，具有正温度系数特性，从而有助于在应用设备中降低损耗和提高效率。
注：
[4]测量条件：Tc＝25°C
3. SOP Advance(EWF)封装采用可润湿侧翼结构，便于对电路板贴片条件进行全自动外观检测
SOP Advance(EWF)封装在引出线部分采用可润湿侧翼结构。这种结构可提高焊锡接点的能见度和焊料润湿性，因此便于使用全自动外观检测（AVI）设备检测元器件贴片条件，有助于提高可靠性。
应用
- 车载设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等
主要规格
（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）
| 器件型号 | XPMR7404PB | XPMR5904PB[2] | XPMR8504PB[2] | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 极性 | N沟道 | |||||
| 系列 | U-MOSⅨ-H | |||||
| 绝对最大额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 40 | ||||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 160 | 180 | 140 | |||
| 漏极电流（脉冲）IDP（A） | 480 | 540 | 420 | |||
| 结温Tch（°C） | 175 | |||||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝6V | 最大值 | 1.28 | 1.05 | 1.52 |
| VGS＝10V | 最大值 | 0.74 | 0.59 | 0.85 | ||
| 栅极阈值电压 Vth（V） |
VDS＝10V | 2.0至3.0 | ||||
| 输入电容 Ciss（pF） |
VDS＝10V，VGS＝0V，f＝300kHz | 典型值 | 7550 | 9240 | 6350 | |
| 热特性 | 通道与外壳之间的热阻 Zth(ch-c)（°C/W） |
Tc＝25°C | 最大值 | 0.59 | 0.55 | 0.66 |
| 封装 | 名称 | SOP Advance(EWF) | ||||
| 尺寸（mm） | 典型值 | 4.9×6.47×1.0 | ||||
| 库存查询与购买 |  |
开发中 | 开发中 | |||
相关内容
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