全SiC MOSFET 10kW隔离型双向DC-DC转换器

该参考设计是一款10kW隔离型双向DC‑DC变换器，采用双有源桥（DAB）拓扑结构，并在高压侧和低压侧均使用SiC MOSFET器件。
该设计提供了全面的细节信息，包括各电路模块的关键设计要点、使用说明及调试方法，以及原理图和PCB布局数据，能够为您的电力电子系统设计提供有力支持。

电路板外观
电路板外观
TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW060N120C TW048N65C TLP7920 TLP5214A

Click on components for more details

特点

  • 效率：97.6%（Vin＝750V。100%负载）
  • 尺寸：565mm×360mm×270mm
  • 提出了一套集成SiC MOSFET、智能栅极驱动隔离器和隔离放大器的整体解决方案。
  • 搭载东芝最新一代SiC MOSFET器件

说明

高压侧 750V
低压侧 400V
额定功率 10kW
电路拓扑 双有源桥（DAB）
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET 高压侧开关・4 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.060Ω（典型值）@18V，TO-247，第3代
功率SiC MOSFET 低压侧开关・4 N沟道SiC MOSFET，650V，0.048Ω（典型值）@18V，TO-247，第3代
光耦（光IC输出型） 栅极驱动・8 光耦（光IC输出型）， IGBT驱动电路， IOP＝+/-4.0A，5000Vrms，SO16L
光耦（隔离放大器型） 电压检测・2 光耦（隔离放大器型），模拟输出，5000Vrms，DIP8

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题（FAQ）
Membership registration required
在新窗口打开