全SiC MOSFET 10kW隔离型双向DC-DC转换器

该参考设计是一款10kW隔离型双向DC‑DC变换器，采用双有源桥（DAB）拓扑结构，并在高压侧和低压侧均使用SiC MOSFET器件。
该设计提供了全面的细节信息，包括各电路模块的关键设计要点、使用说明及调试方法，以及原理图和PCB布局数据，能够为您的电力电子系统设计提供有力支持。

电路板外观
电路板外观
TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW060N120C TW048N65C TLP7920 TLP5214A

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特点

  • 效率：97.6%（Vin＝750V。100%负载）
  • 尺寸：565mm×360mm×270mm
  • 提出了一套集成SiC MOSFET、智能栅极驱动隔离器和隔离放大器的整体解决方案。
  • 搭载东芝最新一代SiC MOSFET器件

说明

高压侧 750V
低压侧 400V
额定功率 10kW
电路拓扑 双有源桥（DAB）
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET 高压侧开关・4 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.060Ω（典型值）@18V，TO-247，第3代
功率SiC MOSFET 低压侧开关・4 N沟道SiC MOSFET，650V，0.048Ω（典型值）@18V，TO-247，第3代
光耦（光IC输出型） 栅极驱动・8 光耦（光IC输出型）， IGBT驱动电路， IOP＝+/-4.0A，5000Vrms，SO16L
光耦（隔离放大器型） 电压检测・2 光耦（隔离放大器型），模拟输出，5000Vrms，DIP8

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