采用表贴式SiC MOSFET的3kW服务器及通信电源

近年来，数据中心规模不断扩大，密度不断提升。因此，服务器电源也需要更高效、更强大、更节省空间，高功率密度至关重要。我们采用最新的表面贴装SiC器件，将电源从主板分离，并将其作为子板实现，从而实现了高功率密度。
除了服务器应用外，该解决方案还适用于通信系统和其他使用48V的应用。
本参考设计提供了电路各部分的设计要点、使用方法和调整方法的说明，以及电路图、电路板布局等设计信息，可为您的设计提供帮助。

电路板外观
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

Click on components for more details

特点

  • Provides appropriate power devices (SiC MOSFET and SiC diode) and digital Isolator totally
  • Achieving high power density through the adoption of surface-mounted devices (34% improvement compared to our existing design).
  • Total efficiency 94.8% (Vin = 230V at 100% load condition)

说明

输入电压 AC 180至264V
输出电压 DC 50V
输出功率 3kW
电路拓扑 半无桥PFC，移相全桥＋同步整流，输出Oring电路
Efficiency Curve

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET PFC Circuit・2 N沟道SiC MOSFET，650V，0.092Ω（典型值）@18V，DFN8×8，第3代。
SiC肖特基势垒二极管 PFC Circuit・2 650V／12A SiC肖特基势垒二极管，DFN8×8
功率SiC MOSFET PSFB Circuit・4 N沟道SiC MOSFET，650V，0.027Ω（典型值）@18V，TOLL，第３代。
功率MOSFET（N沟道150V<VDSS≤250V） PSFB Circuit・12 N沟道MOSFET，200V，0.029 Ω@10V，DSOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） ORing Circuit・6 N沟道MOSFET，80V，0.0019Ω@10V，SOP Advance(E)，U-MOSⅩ-H
标准数字隔离器 PSFB Circuit・1 高速四通道数字隔离器，高速，150Mbps，5000Vrms，16引脚SOIC宽封装

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

相关参考设计

1.6 kW服务器电源（升级版）
1.6kW 48V输出电信设备电源

应用

服务器
在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
详细信息

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题（FAQ）
在新窗口打开