采用贴片式SiC MOSFET的3kW服务器和通信电源

近年来，数据中心规模不断扩大，密度不断提升。因此，服务器电源也需要更高效、更强大、更节省空间，高功率密度至关重要。我们采用最新的贴片式SiC器件，将电源从主板分离，并将其作为子板实现，从而实现了高功率密度。
除了服务器应用外，该解决方案还适用于通信系统和其他使用48V的应用。
本参考设计提供了电路各部分的设计要点、使用方法和调整方法的说明，以及电路图、电路板布局等设计信息，可为您的设计提供帮助。

电路板外观
电路板外观
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特点

  • 提供完整的功率器件（SiC MOSFET和SiC二极管）及数字隔离器
  • 通过采用贴片式器件实现高功率密度（与我们现有的设计相比提高了 34%）。
  • 总效率94.8%(Vin＝230V,100%负载)

说明

输入电压 AC 180至264V
输出电压 DC 50V
输出功率 3kW
电路拓扑结构 半无桥PFC，移相全桥＋同步整流，输出ORing电路
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET PFC电路・2 N沟道SiC MOSFET，650V，0.092Ω（典型值）@18V，DFN8×8，第3代。
SiC肖特基势垒二极管 PFC电路・2 650V／12A SiC肖特基势垒二极管，DFN8×8
功率SiC MOSFET PSFB电路・4 N沟道SiC MOSFET，650V，0.027Ω（典型值）@18V，TOLL，第３代。
功率MOSFET（N沟道150V<VDSS≤250V） PSFB电路・12 N沟道MOSFET，200V，0.029 Ω@10V，DSOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） ORing电路・6 N沟道MOSFET，80V，0.0019Ω@10V，SOP Advance(E)，U-MOSⅩ-H
标准数字隔离器 PSFB电路・1 高速四通道数字隔离器，高速，150Mbps，5000Vrms，16引脚SOIC宽体

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