1.6 kW服务器电源(升级版)

得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器,这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南,可用作参考设计。

PCB照片(示例)
电路板外观
TRS6E65H TRS6E65H TRS6E65H TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 TPH2R408QM TPH2R408QM TPH2R408QM DCL540C01 DCL540C01

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特点

  • 采用最新一代元件,实现比现有电源更高的效率
  • 1U机架尺寸高效率、大功率输出电源
  • 总效率95.4%(Vin=230 V,50%负载条件)
  • 外形尺寸:307 mm×135 mm×43 mm(包括PWB下方的底板和覆盖散热器的顶板)
  • 提供理想的功率器件(MOSFET和SiC二极管)和数字隔离器

说明

输入电压 AC 90V至264 V
输出电压 DC 12 V
输出功率 0.8 kW(AC 100V系统输入),1.6 kW(AC 200 V系统输入)
电路拓扑 半无桥PFC、移相全桥+同步整流、输出Oring电路
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡,将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) 原边・4 N沟道MOSFET,650 V,0.095 Ω@10V,TO-247,DTMOSⅥ
功率MOSFET(N沟道单型60V<VDSS≤150V) 副边・8 N沟道MOSFET,80 V,0.00243 Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅩ-H
功率MOSFET(N沟道单型VDSS≤30V) Oring ・10 N沟道MOSFET,30 V,0.00065 Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H
Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC・2 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
SiC肖特基势垒二极管 PFC・2 650 V/6 A SiC肖特基势垒二极管,TO-220F-2L
标准数字隔离器 原边到副边控制信号・12 高速4通道数字隔离器,高速,150 Mbps,5000 Vrms,16引脚SOIC宽体

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料,例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

应用

服务器
Such as low power consumption and miniaturization are important in designing server. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply units, motor driving unit, over temperature monitoring unit, etc., along with circuit configuration examples.

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