1.6 kW服务器电源（升级版）

得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器，这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。

电路板外观
电路板外观
TRS6E65H TRS6E65H TRS6E65H TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 TPH2R408QM TPH2R408QM TPH2R408QM DCL540C01 DCL540C01

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特点

  • 采用最新一代元件，实现比现有电源更高的效率
  • 1U机架尺寸高效率、大功率输出电源
  • 总效率95.4%（Vin＝230 V，50%负载条件）
  • 外形尺寸：307 mm×135 mm×43 mm（包括PWB下方的底板和覆盖散热器的顶板）
  • 提供理想的功率器件（MOSFET和SiC二极管）和数字隔离器

说明

输入电压 AC 90V至264 V
输出电压 DC 12 V
输出功率 0.8 kW（AC 100V系统输入），1.6 kW（AC 200 V系统输入）
电路拓扑 半无桥PFC、移相全桥＋同步整流、输出Oring电路
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道500V＜VDSS≤700V） 原边・4 N沟道MOSFET，650 V，0.095 Ω@10V，TO-247，DTMOSⅥ
功率MOSFET（N沟道单型60V＜VDSS≤150V） 副边・8 N沟道MOSFET，80 V，0.00243 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅩ-H
功率MOSFET（N沟道单型VDSS≤30V） ORing ・10 N沟道MOSFET，30 V，0.00065 Ω@10V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H
Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC・2 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
SiC肖特基势垒二极管 PFC・2 650 V/6 A SiC肖特基势垒二极管，TO-220F-2L
标准数字隔离器 原边到副边控制信号・12 高速4通道数字隔离器，高速，150 Mbps，5000 Vrms，16引脚SOIC宽体

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在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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