MOSFET4引脚封装DFN8×8(TK25V60X)应用电路

该参考设计提供了使用4引脚MOSFET封装(DFN8×8)最大限度提高开关性能和效率的示例电路,该封装有助于降低封装电感。

MOSFET4引脚封装DFN8×8(TK25V60X)应用电路的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET4引脚封装DFN8×8(TK25V60X)应用电路的仿真电路

说明

  • 介绍了DFN8×8封装的特点,4引脚结构,与传统的3引脚封装相比,还有一个用于栅极驱动电路的源极端子。
  • 介绍了4引脚封装的特点,与3引脚的封装相比,它实现了较小的栅极信号振荡和较低的开关损耗,因为4引脚封装不受源极接线寄生电感的影响。

设计文档

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设计数据

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东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) N沟道MOSFET,600V,0.135Ω@10V,DFN 8×8,DTMOSⅣ-H

相关文档

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