低功耗和小型化对于固态硬盘(SSD)的设计非常重要。东芝提供了适用于电源/电源管理单元、浪涌/ESD 保护电路单元、过热监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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电源输入保护电路示例
各种器件电源电路示例
外部连接器的ESD器件保护电路示例
使用MOSFET的电压电平转换电路示例
使用逻辑IC的电压电平转换电路示例
多点过温监测电路示例
电源输入保护电路示例
器件型号 | |||||
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Toshiba Package Name | SOD-962 (SL2) | SOD-962 (SL2) | SOD-962 (SL2) | SOD-882 (CST2) | SOD-963 (CST2C) |
VESD (Max) [kV] | +/-16 | +/-15 | +/-8 | +/-30 | +/-30 |
IR (Max) [µA] | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
Rdyn (Typ.) [Ω] | 0.7 | 0.7 | 1.05 | 0.23 | 0.08 |
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] | 0.15 | 0.15 | 0.12 | 90 | 270 |
器件型号 | ||
---|---|---|
Toshiba Package Name | SOD-323HE (US2H) | SOD-323HE (US2H) |
VRRM (Max) [V] | ||
VR (Max) [V] | 30 | 40 |
CT (Typ.) [pF] | 380 | 300 |
各种器件电源电路示例
器件型号 | |||||
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Toshiba Package Name | WCSP4F | DFN4F | WCSP4F | SOT-553 (ESV) | SOT-25 (SMV) |
IOUT (Max) [mA] | 500 | 300 | 300 | 200 | 200 |
VOUT [V] | 0.9 to 5.0 | 0.9 to 4.5 | 0.8 to 5.0 | 0.8 to 3.6 | 1.5 to 5.0 |
器件型号 | |||
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Toshiba Package Name | SOT-23F | SOT-23F | SOT-723 (VESM) |
VDSS (Max) [V] | -12 | 30 | 20 |
ID (Max) [A] | -6 | 4 | 0.25 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 4.5 [V] | 0.0202 | 0.056 | 1.1 |
Polarity | P-ch | N-ch | N-ch |
外部连接器的ESD器件保护电路示例
器件型号 | |||||
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Toshiba Package Name | SOD-962 (SL2) | SOD-962 (SL2) | SOD-962 (SL2) | SOD-882 (CST2) | SOD-963 (CST2C) |
VESD (Max) [kV] | +/-16 | +/-15 | +/-8 | +/-30 | +/-30 |
IR (Max) [µA] | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
Rdyn (Typ.) [Ω] | 0.7 | 0.7 | 1.05 | 0.23 | 0.08 |
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] | 0.15 | 0.15 | 0.12 | 90 | 270 |
使用MOSFET的电压电平转换电路示例
器件型号 | |||
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Toshiba Package Name | SOT-23F | SOT-23F | SOT-723 (VESM) |
VDSS (Max) [V] | -12 | 30 | 20 |
ID (Max) [A] | -6 | 4 | 0.25 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 4.5 [V] | 0.0202 | 0.056 | 1.1 |
Polarity | P-ch | N-ch | N-ch |
使用逻辑IC的电压电平转换电路示例
器件型号 | |||
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Toshiba Package Name | SOT-353 (USV) | SOT-353 (USV) | SOT-353 (USV) |
VCC (Max) [V] | 3.6 | 3.6 | 3.6 |
Function | 2-Input NOR Gate with Level Shifting | 2-Input AND Gate with Level Shifting | 2-Input OR Gate with Level Shifting |
多点过温监测电路示例
器件型号 | ||||
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Toshiba Package Name | SOT-553 (ESV) | SOT-553 (ESV) | SOT-553 (ESV) | SOT-553 (ESV) |
VDD (Min) [V] | 1.7 | 1.7 | 1.7 | 1.7 |
VDD (Max) [V] | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 |
IDD (Typ.) [µA] @ Tj = 25 [°C] | 1.8 | 1.8 | 11.3 | 11.3 |
IPTCO (Typ.) [µA] @ Tj = 25 [°C] | 1 | 1 | 10 | 10 |
FLAG Signal Output | Push-pull | Push-pull | Push-pull | Push-pull |
器件型号 | ||||
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Toshiba Package Name | SOT-553 (ESV) | SOT-553 (ESV) | SOT-553 (ESV) | SOT-553 (ESV) |
VDD (Min) [V] | 1.7 | 1.7 | 1.7 | 1.7 |
VDD (Max) [V] | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 |
IDD (Typ.) [µA] @ Tj = 25 [°C] | 1.8 | 1.8 | 11.3 | 11.3 |
IPTCO (Typ.) [µA] @ Tj = 25 [°C] | 1 | 1 | 10 | 10 |
FLAG Signal Output | Open drain | Open drain | Open drain | Open drain |
这些文档对推荐的半导体产品的要点及其特性进行了说明。请参考其进行产品选择。
您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
您可以根據實際要求選擇和下載馬達驅動IC的各種基本拓撲結構,例如3相逆變器電路,以驗證MOSFET和其他元件在您的模擬環境中的性能。
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