IEGT是Injection Enhanced Gate Transistor（电子注入增强绝缘栅晶体管）简称。通过优化IGBT的发射极的结构、改善了器件提高高耐压同时伴随的通流饱和压降急增的缺点。是靠电压来驱动大電流的功率器件。
*IGBT：绝缘栅双极晶体管
具有优越的电流关断能力及抗电压击穿能力、为整机的节能化，小型・高效化做出贡献。工业驱动设备、能源电力转换设备等，在支撑社会基础设施社会的工业领域里发挥其作用。
拥有压接型（PPI）和模块型（PMI）2种不同封装的产品。可根据应用设备的功率容量，负载特性进行选择。
同时，我们也准备了使用SiC新材料的混合型模块。
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