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IGBT／IEGT

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IEGT

IEGT是Injection Enhanced Gate Transistor（电子注入增强绝缘栅晶体管）简称。通过优化IGBT的发射极的结构、改善了器件提高高耐压同时伴随的通流饱和压降急增的缺点。是靠电压来驱动大電流的功率器件。

*IGBT：绝缘栅双极晶体管

IEGT的特点

具有优越的电流关断能力及抗电压击穿能力、为整机的节能化，小型・高效化做出贡献。工业驱动设备、能源电力转换设备等，在支撑社会基础设施社会的工业领域里发挥其作用。
拥有压接型（PPI）和模块型（PMI）2种不同封装的产品。可根据应用设备的功率容量，负载特性进行选择。
同时，我们也准备了使用SiC新材料的混合型模块。

Press-Pack IEGTs (PPIs)

压接型封装
PPI（Press Pack IEGT）

所有导电接触都是靠压接来实现

Plastic Case Module IEGTs (PMIs)

塑料外壳模块型封装
PMI（Plastic Case Module IEGT）

螺钉链接固定，便于安装操作

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支持

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