MOSFET（TK62N60X）应用电路的并联操作

该参考设计提供了使用600V MOSFET并联运行以提高输出功率的仿真模型／电路和结果示例。

MOSFET（TK62N60X）应用电路的并联操作的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET（TK62N60X）应用电路的并联操作的仿真电路

说明

  • 介绍了用TK62N60X（TO-247封装）进行电路仿真的MOSFET并联操作行为，TK62N60X是一款600V DTMOSIV-H产品，适用于PFC电路和AC-DC电源的原边。
  • 显示了并联操作的注意点，并提出了实现更高输出功率的解决方案。

设计文档

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设计数据

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东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道500V＜VDSS≤700V） N沟道MOSFET，600V，0.04Ω@10V，TO-247，DTMOSⅣ-H

相关文档

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