eFuse应用电路（带热关断功能）

该参考设计提供了构建在小型电路板上的eFuse IC应用电路（带热关断功能）的设计指南、数据和其他内容。该电路通过结合eFuse IC和ThermoflaggerTM（过温检测 IC）提供过温检测和保护。

这是eFuse应用电路（带热关断功能）的图片。
TCTH021BE TCTH021BE TC7SH34FU TC7SH34FU TCKE905ANA TCKE905ANA CEZ6V8 CEZ6V8 CEZ6V8 CEZ6V8 SSM3K35MFV SSM3K35MFV SSM3J35AMFV SSM3J35AMFV

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特点

  • 除了各种eFuse IC保护功能外，还提供简单的过温检测解决方案
  • 可与多个PTC热敏电阻组合
  • 构建在一个小型2 cm×2 cm电路板上

说明

输入供电电压 DC 2.7 V至6 V
额定输出电流 1.1 A（典型值），通过适当的电阻设置电流可高达4 A

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

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东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
eFuse IC 模组板・1 2.7 V至23 V／4.0 A eFuse IC，34 mΩ，WSON8
过温检测IC 模组板・1 10 μA，漏极开路，过温检测IC
小信号MOSFET 模组板・1 N沟道MOSFET，20 V，0.18 A，3.0 Ω@4 V，SOT-723(VESM)
小信号MOSFET 模组板・1 P沟道MOSFET，-20 V，-0.25 A，1.4 Ω@4.5 V，SOT-723(VESM)
L-MOS VHS系列 模组板・1 单门逻辑（L-MOS），非反相缓冲器，SOT-353(USV)
齐纳二极管 模组板・2 6.8 V齐纳二极管，SOD-523(ESC)
功率MOSFET（N沟道单型30 V<VDSS≤60 V） 基板・4 N沟道MOSFET，40 V，0.00085 Ω@10 V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H
负载开关IC 基板・4 2.7 V至28 V外部MOSFET驱动IC，WCSP6E
L-MOS SHS系列（TC74LCX等效产品） 基板・4 单门逻辑（L-MOS），施密特缓冲器，SOT-363(US6)
74HC CMOS逻辑IC系列 基板・2 双单稳态多谐振荡器， SOIC16
点调节器（单路输出） 基板・1 200 mA固定输出LDO稳压器，4.8 V，SOT-25(SMV)
偏置电阻内置晶体管（BRT） 基板・1 NPN偏置电阻内置晶体管（BRT），10 kΩ／10 kΩ，SOT-723(VESM)
偏置电阻内置晶体管（BRT） 基板・4 PNP偏置电阻内置晶体管（BRT），10 kΩ／10 kΩ，SOT-723(VESM)
开关二极管 基板・2 80 V/0.1 A开关二极管，SOD-523(ESC)

相关文档

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