产品概要

Polarity N-ch
Generation U-MOSⅣ
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封装

Toshiba Package Name TSM
Package Image 东芝 SSM3K315T Small-signal MOSFET产品 TSM 封装图片
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
2.9×2.8×0.7
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 6 A

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 2.5 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 1.3 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 41.5
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 27.6

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