XPN12006NC

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)

产品概要

Application Scope DC-DC Converters / Automotive / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅧ-H
Internal Connection Single
PPAP Capable(*)
AEC-Q101 Qualified(*)
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

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封装

Toshiba Package Name TSON Advance(WF)
Package Image TSON Advance(WF)
Pins 8
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
3.3×3.6×0.85
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 60 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 20 A
Power Dissipation PD 65 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 2.5 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 23.7
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 12
Input capacitance (Typ.) Ciss - 1100 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 23 nC
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Jun,2021

Jul,2021

Mar,2023

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可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS AEC-Q100
AEC-Q101
XPN12006NC,L1XHQ 5000 - Yes Yes

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