SiC MOSFET（TOLL封装）半桥板

该设计采用半桥配置，搭载了两颗我们最新的SiC MOSFET，能够轻松评估近年来需求不断增长的SiC MOSFET。
它提供了各电路模块的关键设计要点、使用说明、调整方法，以及原理图和PCB布局数据等详细信息，为您的电力电子设计提供支持。

电路板外观
电路板外观
TW027U65C /info/lookup.jsp?pid=TW048U65C

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特点

  • 配备我们最新一代表面贴装SiC MOSFET
  • 支持采用半桥拓扑结构的DC-DC转换器操作
  • 在升压转换器工作时，最高效率可达99.5%（输入电压Vin＝325V，输出功率3kW）

说明

  • 电路板名称：TW027U65C安装板／TW048U65C安装板
  • 已安装器件：TW027U65C／TW048U65C
  • 基板结构：FR-4，4层板（通孔），厚度1.6mm，铜厚度155μm（外层），140μm（内层）
  • 功能：米勒钳位（高侧／低侧），用于电路板温度测量的热敏电阻
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB是在CR8000BD上设计的。其他文件均根据CR8000BD文件制作。

*2:数据是在CR8000BD上生成的。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
Power SiC MOSFET 半桥・2 N沟道SiC MOSFET，650V，0.027Ω（典型值）@18V，TOLL，第三代
Power SiC MOSFETs 半桥・2 N沟道SiC MOSFET，650V，0.048Ω（典型值）@18V，TOLL，第3代

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

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