SiC MOSFET（TOLL封装）半桥板

该设计采用半桥配置，搭载了两颗我们最新的SiC MOSFET，能够轻松评估近年来需求不断增长的SiC MOSFET。
它提供了各电路模块的关键设计要点、使用说明、调整方法，以及原理图和PCB布局数据等详细信息，为您的电力电子设计提供支持。

电路板外观
电路板外观
TW027U65C /info/lookup.jsp?pid=TW048U65C

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特点

  • 配备我们最新一代表面贴装SiC MOSFET
  • 支持采用半桥拓扑结构的DC-DC转换器操作
  • 在升压转换器工作时，最高效率可达99.5%（输入电压Vin＝325V，输出功率3kW）

说明

  • 电路板名称：TW027U65C安装板／TW048U65C安装板
  • 已安装器件：TW027U65C／TW048U65C
  • 基板结构：FR-4，4层板（通孔），厚度1.6mm，铜厚度155μm（外层），140μm（内层）
  • 功能：米勒钳位（高侧／低侧），用于电路板温度测量的热敏电阻
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
Power SiC MOSFET 半桥・2 N沟道SiC MOSFET，650V，0.027Ω（典型值）@18V，TOLL，第三代
Power SiC MOSFETs 半桥・2 N沟道SiC MOSFET，650V，0.048Ω（典型值）@18V，TOLL，第3代

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