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The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
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符合48V总线电压的1.2V/100A输出DC-DC转换器

Block diagram
Block diagram
Efficiency curves
Efficiency curves

说明

  • 输入电压:DC 40至59.5V
  • 输出电压:DC 1.2V
  • 输出功率:120W
  • 电路拓扑:半桥+同步整流

特点

  • 总效率:92.8%(Vin=54.5V,30%负载)
  • 外形尺寸:160mm×100mm×30mm
  • 提供完全适当的功率MOSFET和光耦。

参考设计文件

设计文档

“设计文档”含有以下所列文档。

Name Date

设计文件

“设计文件”含有以下所列文件。

Name Date

*1:实际PCB是在CR5000BD上设计的。
  其它文件由CR5000BD文件制作。
*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
TPN1200APL MOSFET 初级侧,2 U-MOSIX-H/100V/11.5mΩ(最大值)@VGS=10V/TSON Advance
TPHR6503PL MOSFET 次级侧同步整流,4 U-MOSIX-H/30V/0.65mΩ(最大值)@VGS=10V/SOP Advance
TLP785 光耦 输出电压反馈,1 DC输入/晶体管输出/BVS=5000Vrms(最小值)/DIP4
TLP2767 光耦 初级侧和次级侧之间的通信,2 DC输入/IC输出/BVS=5000Vrms(最小值)/SO6L/用于高速通信
TBAT54S 肖特基二极管 初级侧,2 30V/0.2A/VF=0.58V(最大值)@IF=0.1A/SOT-23/2in1
BAS316 开关二极管

初级侧,3

次级侧,2

100V/0.25A/VF=1.25V(最大值)@IF=0.1A/高速开关/USC

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