1.6kW 48V输出电信设备电源

该参考设计提供了采用半无桥PFC和隔离相移全桥DC-DC转换器的1.6kW 48V输出电源的设计指南，数据和其他内容。

1.6kW 48V输出电信设备电源的外观照片
1.6kW 48V输出电信设备电源的简易方框图

特点

  • 1个机架的高效率大功率输出电源
  • 输出电压48V
  • 总效率：94.6%（Vin＝230V，100%负载条件下）
  • 外形尺寸：318mm×127mm×43mm （包括PCB下方的基板和散热器上方的顶板）
  • 提供适当的功率器件（MOSFET和SiC二极管）和光耦

说明

输入电压 AC 90V至264V
输出电压 DC 48V
输出功率 0.8kW（AC 100V系统输入)，1.6kW（AC 200V系统输入)
电路拓扑 半无桥PFC、移相全桥＋同步整流、输出的Oring电路
1.6kW 48V输出电信设备电源的效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB是在CR5000BD上设计的。其他文件均根据CR5000BD文件制作。

*2:数据是在CR5000BD上生成的。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道500V＜VDSS≤700V） PFC・2 N沟道MOSFET，600V，0.125Ω@10V，TO-247，DTMOSⅣ-H
SiC肖特基势垒二极管 PFC・2 650V/8A SiC肖特基势垒二极管，TO-220F-2L
功率MOSFET（N沟道500V＜VDSS≤700V） 原边・4 N沟道MOSFET，600V，0.14Ω@10V，TO-247，DTMOSⅣ-H
功率MOSFET（N沟道150V＜VDSS≤250V） 副边・8 N沟道MOSFET，200V，0.029Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单60V＜VDSS≤150V） Oring・4 N沟道MOSFET，80V，0.00243Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅩ-H
光耦 原边和副边之间的通信・4 光耦（光电IC输出），高速，50Mbps，5000Vrms，SO6L

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

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