输入电压电源部分

电源输入保护电路示例

输入电压电源部分

产品线

TVS二极管

器件型号 DF2B7ASL DF2S14P2CTC DF2B5M4ASL DF2B6M4ASL DF2B6M4BSL
封装 SL2 CST2C SL2 SL2 SL2
VESD[kV] ±30 ±30 ±16 ±15 ±8
VRWM(最大值)[V] 5.5 12.6 3.6 5.5 5.5
Ct(典型值)[pF] 8.5 270 0.15 0.15 0.12
RDYN(典型值)[Ω] 0.2 0.08 0.7 0.7 1.05

电子保险丝/熔断器(eFuse IC)

器件型号

TCKE800NA

TCKE800NL

TCKE805NA

TCKE805NL

TCKE812NA

TCKE812NL

TCKE712BNL

封装

WSON10B

3.0mm×3.0mm×0.7mm

WSON10

3.0mm×3.0mm×0.75mm

VIN[V]

4.4至18 4.4至13.2

RON(典型值)[mΩ]

28 53

恢复操作功能

NA:自动重试型,NL:锁存型(外部信号控制) 锁存型(外部信号控制)

VOVC(典型值)[V]

-

6.04

15.1 可调整

高压负载开关IC

器件型号

TCK301G

TCK303G

封装

WCSP9

VIN[V]

2.3至28

IOUT[A]

3.0

RON(典型值)[mΩ]

73

OVLO(典型值)[V]

6.6

15.5

肖特基二极管(SBD)

器件型号

CUHS20F30

CUHS20F40

封装

US2H

VR[V]

30

40

IO[A]

2

2

VF(典型值)[V]@IF=1A

0.35

0.39

IR(最大值)[μA]

60 @VR=30V

60 @VR=40V

N沟道MOSFET栅极驱动IC

器件型号 VIN_OVLO
最小值/最大值[V]
VGS
典型值/最大值[V]
N沟道MOSFET型可驱动 封装
TCK401G 28以上 最大值10
(VIN≥12V)
单高边共源极 WCSP6E
TCK402G
TCK420G 26.50/28.50 10/11
(VIN≥5V)

单高边共漏极

WCSP6G
TCK421G 22.34/24.05
TCK422G
13.61/14.91
TCK423G 13.61/14.91 5.6/6.3
TCK424G 10.35/11.47
TCK425G 5.76/6.87

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题(FAQ)
在新窗口打开