使用MOSFET的主要电机驱动电路示例
器件型号 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
封装 |
SOP Advance(N) | TSON Advance | DPAK | |||||
VDSS[V] |
60 |
80 |
80 |
60 |
80 |
80 |
80 |
|
ID[A] |
60(79*) |
86(140*) |
120(200*) |
54(76*) |
32(77*) |
84(105*) |
62(83*) |
|
RDS(ON)[mΩ] @VGS=10V |
典型值 |
5.4 |
3.1 |
1.9 |
5.4 |
6.5 |
4.2 |
5.5 |
最大值 |
7.0 |
4 |
2.43 |
7.0 |
8.4 |
5.1 |
6.9 |
|
极性 |
N沟道 |
N沟道 |
N沟道 |
N沟道 |
N沟道 |
N沟道 |
N沟道 |
|
产品代 |
U-MOSⅨ-H |
U-MOSⅩ-H |
U-MOSⅩ-H |
U-MOSⅨ-H |
U-MOSⅩ-H |
U-MOSⅩ-H |
U-MOSⅩ-H |
* :硅极限
*M-FLAT™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*Arm和Cortex是Arm Limited(或其子公司)在美国和/或其他国家或地区的注册商标。
*TXZ+™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*本文提及的公司名称,产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。