主要电机驱动电路(直流有刷电机)

使用MOSFET的主要电机驱动电路示例

主要电机驱动电路(直流有刷电机)

产品线

U-MOS系列N沟道MOSFET

器件型号

TPH7R006PL

TPH4R008QM

TPH2R408QM

TPN7R006PL

TPN8R408QM

TK5R1P08QM

TK6R9P08QM

封装

SOP Advance

SOP Advance(N) TSON Advance DPAK

VDSS[V]

60

80

80

60

80

80

80

ID[A]

60(79*)

86(140*)

120(200*)

54(76*)

32(77*)

84(105*)

62(83*)

RDS(ON)[mΩ]

@VGS=10V

典型值

5.4

3.1

1.9

5.4

6.5

4.2

5.5

最大值

7.0

4

2.43

7.0

8.4

5.1

6.9

极性

N沟道

N沟道

N沟道

N沟道

N沟道

N沟道

N沟道

产品代

U-MOSⅨ-H

U-MOSⅩ-H

U-MOSⅩ-H

U-MOSⅨ-H

U-MOSⅩ-H

U-MOSⅩ-H

U-MOSⅩ-H

* :硅极限

肖特基势垒二极管

器件型号

CMS05

CMS15

封装

M-FLAT™

M-FLAT™

IF(AV)[A]

5

3

VRRM[V]

30

60

VFM(典型值)[V]

0.43 

0.55

CMOS运算放大器

器件型号

TC75S55F

TC75S55FU

封装

SMV

USV

VDD[V]

1.8至7

±0.9至±3.5

1.8至7

±0.9至±3.5

IDD(典型值)[μA]

10

10

fT(典型值)[MHz]

0.16

0.16

MCU

系列 功能
TX03系列 M370组 Arm® Cortex®-M3,包括第一代VE
TX04系列 M470组 Arm® Cortex®-M4,包括第三代VE
TXZ+™4A系列 M4K组 Arm® Cortex®-M4,包括第四代VE

电子保险丝/熔断器(eFuse IC)

器件型号

TCKE800NA
/TCKE800NL

TCKE805NA
/TCKE805NL

TCKE812NA
/TCKE812NL

TCKE712BNL

封装

WSON10B

3.0mm×3.0mm×0.75 mm

WSON10

3.0mm×3.0mm×0.75 mm

VIN[V]

4.4至18

4.4至13.2

RON(典型值)[mΩ]

28

53

恢复操作功能

NA:自动重试型

NL:锁存型(外部信号控制)

锁存型(外部信号控制)

VOVC(典型值)[V]

-

6.04

15.1

可调节

N沟道MOSFET栅极驱动IC

器件型号 VIN_OVLO
最小值/最大值[V]
VGS
典型值/最大值[V]
N沟道MOSFET型可驱动 封装
TCK401G 28以上 最大值10
(VIN≥12V)
单高边共源极 WCSP6E
TCK402G
TCK420G 26.50/28.50 10/11
(VIN≥5V)

单高边共漏极

WCSP6G
TCK421G 22.34/24.05
TCK422G
13.61/14.91
TCK423G 13.61/14.91 5.6/6.3
TCK424G 10.35/11.47
TCK425G 5.76/6.87

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常见问题

常见问题(FAQ)

*M-FLAT™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*Arm和Cortex是Arm Limited(或其子公司)在美国和/或其他国家或地区的注册商标。
*TXZ+™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*本文提及的公司名称,产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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