电源开/关控制及反接保护电路(P沟道型)

12V电源线P沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

泵驱动电路(3相电机)

产品线

U-MOS系列-40V,-60V P沟道MOSFET

器件型号

额定漏极-源极电压[V]

额定漏极电[A]

导通电阻(最大值[mΩ]

@VGS=-10V

封装

XPN9R614MC

-40

-40

9.6

TSON Advance(WF)

XPH3R114MC

-40

-100

3.1

SOP Advance(WF)

XPH8R316MC*

-60

(-90)

(8.3)

TJ90S04M3L

-40

-90

4.3

DPAK+

*:开发中(括号内的数值为暂定规格。规格如有更改,恕不另行通知。)

通用小信号MOSFET

器件型号

SSM3K7002KF

SSM3J168F

SSM3J66MFV

封装

S-Mini

(SOT-346)

S-Mini

(SOT-346)

VESM

(SOT-723)

VDS[V]

60

-60

-20

ID[A]

0.4

-0.4

-0.8

RDS(ON)

@VGS=4.5V[Ω]

典型值

1.2

1.4

0.31

最大值

1.75

1.9

0.39

驱动电压[V]

4.5

-4.0

-1.2

极性

N沟道

P沟道

P沟道

通用小信号双极晶体管

封装 SOT-23F

USM(SOT-323)

UFM(SOT-323F)*

S-Mini(SOT-346)
分类 |VCEO| [V] |IC| [mA] NPN PNP NPN PNP NPN PNP
通用型 50 150     2SC4116 2SA1586 2SC2712 2SA1162
50 500         2SC3325 2SA1313
低噪声 120 100     2SC4117 2SA1587 2SC2713 2SA1163
大电流 50 1700       2SA2195*    
50 2000   TTA501        
50 2500 TTC501          

*表示UFM封装

小信号偏置电阻内置晶体管(BRT)

器件型号 NPN(BRT) PNP(BRT)
封装 ES6 (SOT-563) RN1907FE RN2907FE
US6 (SOT-363) RN1901 RN2901
VCEO[V] 50 -50
IC[mA] 100 -100

TVS二极管(用于CAN通信)

器件型号

DF3D18FU

DF3D29FU

DF3D36FU

封装

USM(SOT-323)

VESD[kV]@ISO 10605

±30

±30

±20

VRWM(最大值)[V]

12

24

28

Ct(典型值/最大值)[pF]

9/10

6.5/8

RDYN(典型值)[Ω]

0.8

1.1

1.5

电源IC(用于MCU)

器件型号

TB9005FNG

封装

SSOP20
(6.4mm×7.0mm)

电流消耗ICC(典型值)[μA]

90(@VIN=12V,Ta=25 °C)

负载稳定性VLOAD(最大值)[%]

1(@ILOAD=1至300mA)

功能

输出端数量

1通道(5V)

电路类型

外置晶体管型

WDT,过流限制

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题(FAQ)
在新窗口打开