电池和USB单元

USB供电的电池充放电电路示例

电池和USB单元

* USB Type-C®和USB-C®是USB Implementers Forum的注册商标。  

产品线

TVS二极管

器件型号

DF2B7BSL

DF2S23P2CTC

封装

SL2

CST2C

VESD[kV]

±30

±30

VRWM(最大值)[V]

5.5

21

Ct(典型值)[pF]

12

160

RDYN(典型值)[Ω]

0.2

0.13

低电容TVS二极管

器件型号

DF2B6M4BSL

DF2B5M4ASL

DF2B6M4ASL DF2B6M4SL

封装

SL2

SL2

SL2 SL2

VESD[kV]

±8

±16

±15 ±20

VRWM(最大值)[V]

5.5 3.6 5.5

5.5

Ct(典型值)[pF]

0.12 0.15 0.15

0.2

RDYN(典型值)[Ω]

1.05

0.7

0.7 0.5

小信号MOSFET(N沟道)

器件型号

SSM6K513NU

SSM6N55NU

封装

UDFN6B
(SOT-1220)
UDFN6
(SOT-1118) 

VDSS[V]

30

30

ID[A]

15

4

RDS(ON)[mΩ]@VGS=4.5V 

典型值

8.0

48

最大值

12

64

极性 N沟道 N沟道×2

小信号MOSFET(P沟道)

器件型号

SSM6J507NU

封装

UDFN6B
(SOT-1220)

VDSS[V]

-30

ID[A]

-10

RDS(ON)[mΩ]@VGS=-4.5V   

典型值

19

最大值

28

极性 P沟道

* 所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

电子保险丝/熔断器(eFuse IC)

器件型号

TCKE800NA
/TCKE800NL

TCKE805NA
/TCKE805NL

TCKE812NA
/TCKE812NL

TCKE712BNL

封装

WSON10B

3.0mm×3.0mm×0.75 mm

WSON10

3.0mm×3.0mm×0.75 mm

VIN[V]

4.4至18

4.4至13.2

RON(典型值)[mΩ]

28

53

恢复操作功能

NA:自动重试型

NL:锁存型(外部信号控制)

锁存型(外部信号控制)

VOVC(典型值)[V]

-

6.04

15.1

可调节

N沟道MOSFET栅极驱动IC

器件型号 VIN_OVLO
最小值/最大值[V]
VGS
典型值/最大值[V]
N沟道MOSFET型可驱动 封装
TCK401G 28以上 最大值10
(VIN≥12V)
单高边共源极 WCSP6E
TCK402G
TCK420G 26.50/28.50 10/11
(VIN≥5V)

单高边共漏极

WCSP6G
TCK421G 22.34/24.05
TCK422G
13.61/14.91
TCK423G 13.61/14.91 5.6/6.3
TCK424G 10.35/11.47
TCK425G 5.76/6.87

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常见问题

常见问题(FAQ)

*USB Type-C®和USB-C®是USB Implementers Forum的注册商标。
*本文提及的公司名称,产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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