300W隔离式DC-DC转换器（升级版）

该设计支持DC 36V至75V的宽输入电压范围，并提供DC 12V输出，功率容量为300W。通过采用东芝最新一代MOSFET和数字隔离器并进行电路优化，在全负载范围内，该设计相比相同拓扑的现有参考设计实现了更高的转换效率。
我们提供设计信息，包括关键电路设计要点、使用说明、各部分的调整方法、电路图和PCB布局数据，以支持您的开发。

电路板外观
电路板外观
TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 DCL520C00 DCL520C00

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特点

  • 采用东芝最新一代器件和电路优化技术，效率比现有设计更高。
  • 宽输入电压范围为 36 75V，可应用于48V系统。
  • 转换效率：94.6%（在Vin＝48V、100%负载条件下）
  • 外形尺寸：82mm×82mm×24mm
  • 采用绕线结构的变压器，提升了该设计在实际应用场景中的可实施性。

说明

输入电压 DC 36至75V
输出电压 DC 12V
输出功率 300W
电路拓扑 相移全桥
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） 原边･4 N沟道MOSFET、100V、0.0115Ω@10V、TSON Advance、U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） 副边･4 N沟道MOSFET、100V、0.0027Ω@10V、Qrr＝55nC@100A/μs、SOP Advance(N)、U-MOS11-H
标准数字隔离器 原边与副边之间的通信･1 高速数字隔离器、高速、150Mbps、3000Vrms、8引脚窄体SOIC封装

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