300W隔离式DC-DC转换器（升级版）

该设计支持DC 36V至75V的宽输入电压范围，并提供DC 12V输出，功率容量为300W。通过采用东芝最新一代MOSFET和数字隔离器并进行电路优化，在全负载范围内，该设计相比相同拓扑的现有参考设计实现了更高的转换效率。
我们提供设计信息，包括关键电路设计要点、使用说明、各部分的调整方法、电路图和PCB布局数据，以支持您的开发。

电路板外观
电路板外观
TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 DCL520C00 DCL520C00

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特点

  • 采用东芝最新一代器件和电路优化技术，效率比现有设计更高。
  • 宽输入电压范围为 36 75V，可应用于48V系统。
  • 转换效率：94.6%（在Vin＝48V、100%负载条件下）
  • 外形尺寸：82mm×82mm×24mm
  • 采用绕线结构的变压器，提升了该设计在实际应用场景中的可实施性。

说明

输入电压 DC 36至75V
输出电压 DC 12V
输出功率 300W
电路拓扑 相移全桥
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB是在CR8000BD上设计的。其他文件均根据CR8000BD文件制作。

*2:数据是在CR8000BD上生成的。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） 原边･4 N沟道MOSFET、100V、0.0115Ω@10V、TSON Advance、U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） 副边･4 N沟道MOSFET、100V、0.0027Ω@10V、Qrr＝55nC@100A/μs、SOP Advance(N)、U-MOS11-H
标准数字隔离器 原边与副边之间的通信･1 高速数字隔离器、高速、150Mbps、3000Vrms、8引脚窄体SOIC封装

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

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