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近年来,SiC MOSFET模块比传统的IGBT模块尺寸更小、损耗更低,因此越来越受欢迎,在工业电机驱动、铁路逆变器等功率转换应用中非常有用。这是一款具有各种保护功能的栅极驱动电路,可以安全地驱动SiC MOSFET模块。
该设计采用TLP5231预驱光耦,该器件能够通过外部缓冲MOSFET实现大电流栅极驱动,并内置多种保护功能,可实现大电流/高压SiC MOSFET模块的隔离栅极驱动。它由62mm×100mm板上的高端和低端两个通道组成,可安装在东芝双MOSFET模块上。
提供有关电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和 PCB 图案等设计信息,请将其用于您的设计。
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控制电源电压 | DC 24 V |
---|---|
驱动通道数 | 2通道:低边,高边 |
栅极控制信号输入 | 5 V CMOS |
栅极驱动输出 | +20 V(典型值)/-6.7 V(典型值) |
我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡,将其用于电路设计。
我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。
器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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光耦(光电IC输出) | 预驱电路・2 | 光耦(光电IC输出),功率器件预驱电路,IOP=+/-2.5 A,5000 Vrms,SO16L | |
功率MOSFET(P沟道单通道) | 打开缓冲器・2 | P沟道MOSFET,-40 V,0.025 Ω@10 V,SOP-8,U-MOSⅥ | |
小型低导通电阻MOSFET | 关闭缓冲器・4 | N沟道MOSFET,40 V,12 A,18 mΩ@4.5 V,TSOP6F | |
低压差(LDO)线性稳压器 | 产生控制电源电压・4 | 高电压、低静态电流、快速负载瞬态CMOS线性稳压器 | |
小信号MOSFET | 输入信号驱动・2 | N沟道MOSFET,30 V,0.1 A,3.6 Ω@4 V,SOT-416(SSM) | |
低频小信号放大晶体管 | 故障检测信号输出・2 | NPN双极晶体管,50 V,0.15 A,SOT-723(VESM) |
我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料,例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。