该参考设计提供了用于驱动工业电机驱动器等功率转换设备中使用的SiC MOSFET模块的栅极。它可以通过使用外部缓冲MOSFET,以大电流驱动SiC MOSFET模块的栅极。
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控制电源电压 | DC 24 V |
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驱动通道数 | 2通道:低边,高边 |
栅极控制信号输入 | 5 V CMOS |
栅极驱动输出 | +20 V(典型值)/-6.7 V(典型值) |
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器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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光耦(光电IC输出) | 预驱电路・2 | 光耦(光电IC输出),功率器件预驱电路,IOP=+/-2.5 A,5000 Vrms,SO16L | |
功率MOSFET(P沟道单通道) | 打开缓冲器・2 | P沟道MOSFET,-40 V,0.025 Ω@10 V,SOP-8,U-MOSⅥ | |
小型低导通电阻MOSFET | 关闭缓冲器・4 | N沟道MOSFET,40 V,12 A,18 mΩ@4.5 V,TSOP6F | |
低压差(LDO)线性稳压器 | 产生控制电源电压・4 | 高电压、低静态电流、快速负载瞬态CMOS线性稳压器 | |
小信号MOSFET | 输入信号驱动・2 | N沟道MOSFET,30 V,0.1 A,3.6 Ω@4 V,SOT-416(SSM) | |
低频小信号放大晶体管 | 故障检测信号输出・2 | NPN双极晶体管,50 V,0.15 A,SOT-723(VESM) |
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