SiC MOSFET模块的栅极驱动电路

该参考设计提供了用于驱动工业电机驱动器等功率转换设备中使用的SiC MOSFET模块的栅极。它可以通过使用外部缓冲MOSFET，以大电流驱动SiC MOSFET模块的栅极。

这是SiC MOSFET模块得栅极驱动电路图片
电路板外观
TLP5231 TLP5231 TPC8132 TPC8132 SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS 2SC6026MFV 2SC6026MFV TLP5231 TLP5231 TPC8132 TPC8132 SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS 2SC6026MFV 2SC6026MFV

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特点

  • 开发了适用于大电流／高电压SiC MOSFET模块的具有多种保护功能的隔离栅极驱动器
  • 参数设置与我们的SiC MOSFET模块（MG400V2YMS3、MG600Q2YMS3、MG250YD2YMS3）组合使用
  • 尺寸与我们的SiC MOSFET模块相同

说明

控制电源电压 DC 24 V
驱动通道数 2通道：低边，高边
栅极控制信号输入 5 V CMOS
栅极驱动输出 ＋20 V（典型值）／－6.7 V（典型值）

设计文档

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设计数据

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东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
光耦（光电IC输出） 预驱电路・2 光耦（光电IC输出），功率器件预驱电路，IOP=+/-2.5 A，5000 Vrms，SO16L
功率MOSFET（P沟道单通道） 打开缓冲器・2 P沟道MOSFET，-40 V，0.025 Ω@10 V，SOP-8，U-MOSⅥ
小型低导通电阻MOSFET 关闭缓冲器・4 N沟道MOSFET，40 V，12 A，18 mΩ@4.5 V，TSOP6F
低压差（LDO）线性稳压器 产生控制电源电压・4 高电压、低静态电流、快速负载瞬态CMOS线性稳压器
小信号MOSFET 输入信号驱动・２ N沟道MOSFET，30 V，0.1 A，3.6 Ω@4 V，SOT-416(SSM)
低频小信号放大晶体管 故障检测信号输出・2 NPN双极晶体管，50 V，0.15 A，SOT-723(VESM)

相关文档

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