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拓展适用于车载设备48V系统的80V N沟道车载MOSFET产品线
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）现已推出80V N沟道车载MOSFET。这是使用最新一代[1]工艺“U-MOSX-H系列”制造的首批产品，采用了SOP Advance(WF)封装，扩大了适用于车载设备48V系统的产品线。这批产品的导通电阻都很低，有助于设备节能省电；其中，“XPH2R608QB”和“XPH3R908QB”的漏源导通电阻分别为2.55mΩ（最大值）和3.9mΩ（最大值）。
近年来，车载系统正逐步向48V系统转型，旨在通过降低电流来减少功率损耗，并实现更纤薄、更轻便的线束。需使用48V车载系统专用的MOSFET，其耐压必须至少为80V，并且导通电阻很低。为满足这些要求，东芝开发了低导通电阻型80V MOSFET。
此外，新产品遵循AEC-Q101车载分立半导体器件可靠性标准，采用可焊锡侧翼[2]结构的SOP Advance(WF)贴片式封装。这种封装结构的焊锡弧角[3]能见度很高，因此可使用全自动外观检测（AVI）设备轻松验证电路板贴片条件，有助于在生产线上进行全自动检测。另外，该封装通过采用铜接头结构降低封装热阻。
东芝将继续开发适用于48V系统的车载MOSFET产品，以满足客户的不同需求，支持车载设备的各类应用。
注：
[1]截止2026年4月
[2]封装侧面引线的形状
[3]焊锡弧角是指印刷电路板上贴装的元器件的焊接部分。
特点
- 80V车载MOSFET采用SOP Advance(WF)封装，导通电阻很低。
- 采用可焊锡侧翼结构的SOP Advance(WF)封装便于对电路板贴片条件进行全自动外观检测。
特性说明
1.80V车载MOSFET采用SOP Advance(WF)封装，导通电阻很低
新产品XPH2R608QB和XPH3R908QB是采用SOP Advance(WF)封装的首批80V车载产品。
这些产品利用最新一代U-MOSX-H工艺，并采用具有铜接头结构（可降低封装热阻）的SOP Advance(WF)封装，实现了低导通电阻（RDS(ON)）。
80V U-MOSX-H车载系列产品线还包括XPQR8308QB，这款产品采用高散热型L-TOGL™封装。
XPH2R608QB：RDS(ON)＝2.55mΩ（最大值）（VGS＝10V）
XPH3R908QB：RDS(ON)＝3.9mΩ（最大值）（VGS＝10V）
2.采用可焊锡侧翼结构的SOP Advance(WF)封装便于对电路板贴片条件进行全自动外观检测
SOP Advance(WF)封装在引出线截止部分采用可焊锡侧翼结构。这种结构（可焊锡侧翼）可提高焊接状态的能见度和焊料润湿性，因此便于使用全自动外观检测（AVI）设备检查元器件贴片状态，同时有助于提高可靠性。
应用
・车载设备48V系统
电机驱动、开关电源、负载开关等。
主要规格
（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）
| 器件型号 | XPH2R608QB | XPH3R908QB | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 极性 | N沟道 | ||||
| 绝对最大额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 80 | |||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 120 | 80 | |||
| 漏极电流（脉冲）IDP（A） | 360 | 240 | |||
| 结温Tch（°C） | 175 | ||||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝6V | 最大值 | 3.5 | 5.7 |
| VGS＝10V | 最大值 | 2.55 | 3.9 | ||
| 栅极阈值电压 Vth（V） |
VDS＝10V | 2.5至3.5 | |||
| 动态特性 | 输入电容 Ciss（pF） |
VDS＝10V，VGS＝0V，f＝1MHz | 典型值 | 6200 | 3950 |
| 栅极电荷总量（栅极-源极电荷加上栅漏电荷） Qg（nC） |
VDD≃64V，VGS＝10V | 典型值 | 95 | 63 | |
| 热特性 | 通道与外壳之间的热阻 Zth(ch-c（°C／W） |
Tc＝25°C | 最大值 | 0.88 | 1.13 |
| 封装 | SOP Advance(WF) | ||||
| 系列 | U-MOSX-H | ||||
| 库存查询与购买 |  |
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应用电路示例
相关链接
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*L-TOGL™是东芝电子元件与存储装置株式会社的商标。
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