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采用最新一代工艺提高电源效率的40V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已针对数据中心等工业设备的开关电源（SMPS），推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]，制造的40V N沟道功率MOSFET“TPHR6704RL”。
与采用现有工艺U-MOSIX-H的40V产品TPHR8504PL相比，新产品的漏源导通电阻减小了大约21%[2]。另外，与TPHR8504PL相比，新产品通过将漏源导通电阻与栅极电荷总量的乘积减小了大约37%[3]，提高了整体性能，从而实现了行业领先[1]的低损耗。此外，新产品还降低了开关过程中漏极与源极之间产生的尖峰电压，因此有助于减少开关电源中的电磁干扰（EMI）。采用SOP Advance(N)封装，与SOP Advance具有很强的封装兼容性。
东芝还提供各种工具，用于支持开关电源的电路设计。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供可以准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。用户可使用东芝网站上提供的在线电路仿真器轻松验证电路运行情况，无需自行构建仿真环境和下载元件模型。
东芝将继续扩大其功率MOSFET产品线，使电源更高效，助力降低设备内部的功耗。
注：
[1]根据截止2026年2月的东芝调研。
[2]测试条件：VGS＝10V，ID＝50A（TPHR8504PL）VGS＝10V，ID＝75A（TPHR6704RL）
[3]测试条件：VDD≈20V，VGS＝10V，ID＝50A（TPHR8504PL）VDD≈20V，VGS＝10V，ID＝75A（TPHR6704RL）
特点
- 与东芝的现有产品相比，漏源导通电阻减小了大约21%
- 与东芝的现有产品相比，导通电阻与栅极电荷总量的乘积减小了大约37%
特性说明
1.与东芝的现有产品相比，漏源导通电阻减小了大约21%
与电压相同的东芝现有产品TPHR8504PL相比，新产品的漏源导通电阻减小了大约21%，有助于减小开关电源中的导通损耗。
2.与东芝的现有产品相比，导通电阻与栅极电荷总量的乘积减小了大约37%
除了减小漏源导通电阻，还减小了栅极电荷总量。与电压相同的东芝现有产品TPHR8504PL相比，TPHR6704RL将漏源导通电阻与栅极电荷总量的乘积减小了大约37%，因此在开关电源等应用中有助于降低损耗和提高效率。
应用
工业设备
- 数据中心专用的开关电源（SMPS）
主要规格
（除非另有规定，Ta＝25°C）
| 器件型号 | TPHR6704RL | |||
|---|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 40 | ||
| 漏极电流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 420 | ||
| 结温Tch（°C） | 175 | |||
| 电气特性 | 漏源导通电阻RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝10V | 最大值 | 0.67 |
| VGS＝4.5V | 最大值 | 0.97 | ||
| 栅极电荷总量Qg（nC） | VGS＝10V | 典型值 | 88 | |
| 栅极开关电荷Qsw（nC） | 典型值 | 24 | ||
| 输出电荷Qoss（nC） | 典型值 | 100 | ||
| 反向恢复时间trr（ns） | 典型值 | 73 | ||
| 反向恢复电荷Qrr（nC） | 典型值 | 106 | ||
| 封装 | 名称 | SOP Advance(N) | ||
| 尺寸（mm） | 典型值 | 4.9×6.1 | ||
| 库存查询与购买 |  |
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