This webpage doesn't work with Internet Explorer. Please use the latest version of Google Chrome, Microsoft Edge, Mozilla Firefox or Safari.
请输入3个以上字符 Search for multiple part numbers fromhere.
The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.TOSHIBA is not responsible for any incorrect or incomplete information. Information is subject to change at any time without notice.
请输入3个以上字符
东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)现已推出理想二极管[1]控制器“TPD7110F”。这款产品可以安全地控制汽车的电源系统,有助于确保设计灵活性和节省空间。
近年来,随着车载电子控制单元(ECU)技术的不断进步,其电流消耗也随之增加。二极管一直以来都用于电源的防反保护和负载侧的反向电流阻断。
然而,不断增长的电流需求需要更大的二极管和更强的散热性能,这阻碍了设备小型化目标的实现。
因此,市场上对理想二极管的需求日益增长;理想二极管能够通过降低电源线传导过程中的功率损耗来抑制发热,从而支持设备小型化。
此外,汽车安全设计需要冗余配置[2],这加速了电源系统冗余度趋势,提高了理想二极管控制器在此类系统中的重要性。
为满足这些需求,该产品通过内置电荷泵电路(带有内部电容器)并将其与N沟道MOSFET相结合,实现了理想的低损耗二极管结构。除了防反保护和负载侧反向电流阻断外,该产品还具有过压保护功能。通过使用多个该产品,可以构建冗余电源系统。此外,通过与背对背MOSFET配合使用,可用作负载开关,实现开/关控制。
另外,低电流消耗设计使其工作电流消耗仅为100µA(典型值)。此外,待机电流消耗为2µA(典型值),有助于降低蓄电池功耗。这有助于提高系统整体效率并减少环境影响。
此外,通过采用东芝独有的PS-8小型封装,并结合低导通电阻的N沟道MOSFET,实现理想二极管,有助于降低各种设备的功率损耗,实现设备小型化。
东芝将继续扩大具有低功耗、小型化和高可靠性的产品线,为构建安全可持续性社会做出贡献。
注:
[1]理想二极管是一种旨在实现“理想”特性,具有电流单向流动功能的电路或器件,就像现有二极管(整流元件)一样。
[2]冗余配置是指一种设计策略,通过复制或增加控制系统和传感器系统等重要系统,确保自动驾驶车辆的安全。
在车载系统中,电池或电源线可能会接错。这款新产品内置防反保护电路,即使电源极性接反,也能在反接时关断N沟道MOSFET,从而防止电路和设备受损。
当电池电压因浪涌等情况而进入过压状态时,产品会关断N沟道MOSFET,从而防止负载侧的设备因过压而损坏[3]。一旦电池电压恢复至正常电平,产品会再次导通N沟道MOSFET。
注:
[3]当使用MOSFET以背对背结构配置时。
VOVH:过压检测电压,VOVL:过压释放电压,VOVHYS:过压检测滞后
VUVL:欠压检测电压,VUVH:欠压释放电压,VUVHYS:欠压检测滞后
VGS:栅极-源极电压,VGS(1):高电平输出电压(1),VGS(3):高电平输出电压(3)
图3:过压保护(和欠压保护)的工作原理图
由于采用了低电流消耗设计,这款内置电荷泵电容器的产品实现了极低的工作电流消耗,典型值为100µA。此外,待机电流消耗仅为2µA(典型值),有助于降低不必要的蓄电池功耗。这有助于提高系统整体效率并减少环境影响。
TPD7110F采用东芝独有的小型封装PS-8(SON8-P)。虽然该产品采用易于贴片的引线型封装,但其尺寸极小,仅为2.9mm×2.8mm×0.8mm,与常见的小型SOP封装MSOP-8相比,贴片面积减小了约55%。
此外,如前所述,该产品内置电荷泵电路(带有内部电容器),与其他需要外置电容器的产品相比,显著节省了空间。
(Unless otherwise specified, Ta=25°C)
| 器件型号 | TPD7110F | |||
|---|---|---|---|---|
| 封装 | 名称 | PS-8 | ||
| 尺寸(mm) | 2.9×2.8 | |||
| 引脚间距(mm) | 0.65 | |||
| 绝对最大额定值 | 供电电压VDD(1)(V) | -0.3至60 | ||
| 反接状态下的供电电压 VDD(2)(V) |
-32 | |||
| 输入电压(1)VIN(V) | -0.3 to 6 | |||
| 输入电压(2)VSENSE(V) | -0.3 to 60 | |||
| 输入电压(3)VSOURCE(V) | -0.3 to 60 | |||
| 输出电压VGATE(V) | -0.3 to 60 | |||
| 输出拉电流IGS(-)(µA) | 管内电容 | |||
| 输出灌电流IGS(+)(mA) | 200 | |||
| 允许功耗PD(W) | 0.99 | |||
| 工作温度Topr(°C) | -40至125 | |||
| 结温Tj (°C) | 150 | |||
| 储存温度Tstg(°C) | -55至150 | |||
| 工作范围 | 工作电压VDD(opr)(V) | Tj=-40至125°C | 3至32 | |
| 电气特性 | 供电电流IDD(ON1)(µA) | VDD=12V,VIN=5V,Tj=25°C | 典型值 | 100 |
| 供电电流IDD(OFF1)(µA) | VDD=12V,VIN=0V,Tj=25°C | 典型值 | 2 | |
| 保护功能 | 防反保护 反向电流阻断 过压保护 欠压保护 |
|||
| 库存查询与购买 | ![]() |
|||
库存查询与购买
请输入3个以上字符
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文件中所含信息,包括产品价格和产品规格、服务内容及联系方式,仅于公告当日有效,如有更改,恕不另行通知。
