具有防反保护和过压保护功能的理想二极管控制器

-有助于降低功率损耗和实现车载设备小型化-
具有防反保护和过压保护功能的理想二极管控制器

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)现已推出理想二极管[1]控制器“TPD7110F”。这款产品可以安全地控制汽车的电源系统,有助于确保设计灵活性和节省空间。

近年来,随着车载电子控制单元(ECU)技术的不断进步,其电流消耗也随之增加。二极管一直以来都用于电源的防反保护和负载侧的反向电流阻断。
然而,不断增长的电流需求需要更大的二极管和更强的散热性能,这阻碍了设备小型化目标的实现。
因此,市场上对理想二极管的需求日益增长;理想二极管能够通过降低电源线传导过程中的功率损耗来抑制发热,从而支持设备小型化。
此外,汽车安全设计需要冗余配置[2],这加速了电源系统冗余度趋势,提高了理想二极管控制器在此类系统中的重要性。

为满足这些需求,该产品通过内置电荷泵电路(带有内部电容器)并将其与N沟道MOSFET相结合,实现了理想的低损耗二极管结构。除了防反保护和负载侧反向电流阻断外,该产品还具有过压保护功能。通过使用多个该产品,可以构建冗余电源系统。此外,通过与背对背MOSFET配合使用,可用作负载开关,实现开/关控制。

另外,低电流消耗设计使其工作电流消耗仅为100µA(典型值)。此外,待机电流消耗为2µA(典型值),有助于降低蓄电池功耗。这有助于提高系统整体效率并减少环境影响。

此外,通过采用东芝独有的PS-8小型封装,并结合低导通电阻的N沟道MOSFET,实现理想二极管,有助于降低各种设备的功率损耗,实现设备小型化。

东芝将继续扩大具有低功耗、小型化和高可靠性的产品线,为构建安全可持续性社会做出贡献。

图1:理想二极管
图1:理想二极管
图2:负载开关和理想二极管
图2:负载开关和理想二极管

注:
[1]理想二极管是一种旨在实现“理想”特性,具有电流单向流动功能的电路或器件,就像现有二极管(整流元件)一样。
[2]冗余配置是指一种设计策略,通过复制或增加控制系统和传感器系统等重要系统,确保自动驾驶车辆的安全。

特点

  1. 防反保护
  2. 过压保护
  3. 低电流消耗设计减小了电池负载
    工作电流消耗=100µA(典型值)/待机电流消耗=2µA(典型值)
  4. 小型封装PS-8,适合高密度贴装

 

特性说明

1.防反保护

在车载系统中,电池或电源线可能会接错。这款新产品内置防反保护电路,即使电源极性接反,也能在反接时关断N沟道MOSFET,从而防止电路和设备受损。

2.过压保护

当电池电压因浪涌等情况而进入过压状态时,产品会关断N沟道MOSFET,从而防止负载侧的设备因过压而损坏[3]。一旦电池电压恢复至正常电平,产品会再次导通N沟道MOSFET。

注:
[3]当使用MOSFET以背对背结构配置时。

图3:过压保护(和欠压保护)的工作原理图

VOVH:过压检测电压,VOVL:过压释放电压,VOVHYS:过压检测滞后
VUVL:欠压检测电压,VUVH:欠压释放电压,VUVHYS:欠压检测滞后
VGS:栅极-源极电压,VGS(1):高电平输出电压(1),VGS(3):高电平输出电压(3)

图3:过压保护(和欠压保护)的工作原理图

3.3. 低电流消耗设计减小了电池负载
    工作电流消耗=100µA(典型值)
    /待机电流消耗=2µA(典型值)

图4:TPD7110F的电流消耗特性
图4:TPD7110F的电流消耗特性

由于采用了低电流消耗设计,这款内置电荷泵电容器的产品实现了极低的工作电流消耗,典型值为100µA。此外,待机电流消耗仅为2µA(典型值),有助于降低不必要的蓄电池功耗。这有助于提高系统整体效率并减少环境影响。

4.小型封装PS-8,适合高密度贴装

图5:MSOP-8封装与PS-8封装对比
图5:MSOP-8封装与PS-8封装对比

TPD7110F采用东芝独有的小型封装PS-8(SON8-P)。虽然该产品采用易于贴片的引线型封装,但其尺寸极小,仅为2.9mm×2.8mm×0.8mm,与常见的小型SOP封装MSOP-8相比,贴片面积减小了约55%。
此外,如前所述,该产品内置电荷泵电路(带有内部电容器),与其他需要外置电容器的产品相比,显著节省了空间。

应用

  • 车身控制模块(BCM)
  • 电池管理系统(BMS)
  • 抬头显示(HUD)

主要规格

(Unless otherwise specified, Ta=25°C)

器件型号 TPD7110F
封装 名称 PS-8
尺寸(mm) 2.9×2.8
引脚间距(mm) 0.65
绝对最大额定值 供电电压VDD(1)(V) -0.3至60
反接状态下的供电电压
VDD(2)(V)
-32
输入电压(1)VIN(V) -0.3 to 6
输入电压(2)VSENSE(V) -0.3 to 60
输入电压(3)VSOURCE(V) -0.3 to 60
输出电压VGATE(V) -0.3 to 60
输出拉电流IGS(-)(µA) 管内电容
输出灌电流IGS(+)(mA) 200
允许功耗PD(W) 0.99
工作温度Topr(°C) -40至125
结温Tj (°C) 150
储存温度Tstg(°C) -55至150
工作范围 工作电压VDD(opr)(V) Tj=-40至125°C 3至32
电气特性 供电电流IDD(ON1)(µA) VDD=12V,VIN=5V,Tj=25°C 典型值 100
供电电流IDD(OFF1)(µA) VDD=12V,VIN=0V,Tj=25°C 典型值 2
保护功能 防反保护
反向电流阻断
过压保护
欠压保护
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