3kW Power Supply for AI Servers Using Surface-Mounted SiC MOSFET

With the rapid rise of generative AI, demand for high-performance AI servers is growing. This reference design provides a 3kW power supply for AI servers with high power requirements. By incorporating our surface-mount SiC MOSFETs, it achieves high power density.
Design tips on each portion of the circuit, method of operation, and design information such as circuit diagrams and PCB patterns are available, please use them for your design.

Board Appearance
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

Click on components for more details

特点

  • Provides appropriate power devices (MOSFET and SiC diode) and digital Isolator totally.
  • Achieving high power density through the adoption of surface-mounted devices (34% improvement compared to our existing design).
  • Total efficiency 94.8% (Vin = 230V at 100% load condition)

说明

Input Power Supply Voltage AC 180V to 264V
Output voltage DC 50V
Output power 3kW
Circuit topology Semi-Bridgeless PFC, Phase-Shift Full-Bridge + Synchronous Rectification, ORing Circuit for Output
Efficiency Curve

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB是在CR8000BD上设计的。其他文件均根据CR8000BD文件制作。

*2:数据是在CR8000BD上生成的。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
Power SiC MOSFETs PFC Circuit・2 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ω(typ.)@18 V, DFN 8×8, 3rd Gen.
SiC Schottky barrier diode PFC Circuit・2 650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, DFN8×8
Power SiC MOSFETs PSFB Circuit・4 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(typ.)@18 V, TOLL, 3rd Gen.
Power MOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) PSFB Circuit・12 N-ch MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, DSOP Advance, U-MOSⅧ-H
Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) ORing Circuit・6 N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 Ω@10V, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H
Standard Digital Isolators PSFB Circuit・1 HIGH SPEED QUAD CHANNEL DIGITAL ISOLATORS, High-speed, 150 Mbps, 5000 Vrms, 16pin SOIC Wide body

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

应用

服务器
在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
详细信息

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题（FAQ）
在新窗口打开