采用贴片式SiC MOSFET的AI服务器3kW电源

随着生成式人工智能 (Generation AI) 的快速发展，对高性能人工智能服务器的需求日益增长。本设计是一款专为高功耗AI服务器打造的3kW电源，搭载我们贴片式SiC MOSFET，实现了高功率密度。
我们提供电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和PCB图案等设计信息，供您设计时参考使用。

电路板外观
电路板外观
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特点

  • 提供完整的功率器件（MOSFET和SiC二极管）及数字隔离器解决方案。
  • 通过采用贴片式器件实现高功率密度（与我们现有的设计相比提高了 34%）。
  • 总效率94.8%（Vin＝230V、100% 负载）

说明

输入电源电压 AC 180V至264V
输出电压 DC 50V
输出功率 3kW
电路拓扑结构 半无桥PFC、移相全桥＋同步整流、输出ORing电路
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET PFC电路・2 N沟通SiC MOSFET、650V、0.092Ω（典型值）@18V、DFN8×8、第3代
SiC肖特基势垒二极管 PFC电路・2 650V／12A SiC肖特基势垒二极管、DFN8×8
功率SiC MOSFET PSFB电路・4 N沟道SiC MOSFET、650V、0.027Ω（典型值）@18V、TOLL、第3代
功率MOSFET（N沟道150V<VDSS≤250V） PSFB电路・12 N沟道MOSFET、200V、0.029Ω@10V、DSOP Advance、U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） ORing电路・6 N沟道MOSFET、80V、0.0019Ω@10V、SOP Advance€、U-MOSⅩ-H
标准型数字隔离器 PSFB电路・1 高速四通道数字隔离器、高速、150Mbps、5000Vrms、16引脚SOIC宽体

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