在此参考设计中,在一个小型印刷电路板(PCB)上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。使用从东芝的各种产品线选择的MOSFET栅极驱动电路IC、eFuse IC、齐纳二极管和小型封装MOSFET,创造具有BBM和MBB开关的理想二极管。
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电路 | 双输入单输出电源多路复用器电路 |
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输入VINA/输入VINB | 5V/20V,5V/12V,9V/20V,5V/12V,12V/24V |
输出电流(最大值) | 3A至5A |
设计文档包括下列文档。
设计数据包括下列内容。
器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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齐纳二极管 | 模组板 | 12V齐纳二极管,SOD-323HE(US2H) | |
齐纳二极管 | 模组板 | 16V齐纳二极管,SOD-323HE(US2H) | |
齐纳二极管 | 模组板 | 30V齐纳二极管,SOD-323HE(US2H) | |
齐纳二极管 | 模组板 | 6.8V齐纳二极管,SOD-323HE(US2H) | |
肖特基势垒二极管 | 模组板 | 30V/0.1A肖特基势垒二极管,SOD-962(SL2) | |
小信号MOSFET | 模组板 | N沟道MOSFET,30V,0.1A,3.6Ω@4V,CST3C | |
小信号MOSFET | 模组板 | N沟道MOSFET,60V,0.15A,3.9Ω@10V,CST3C | |
小型低导通电阻MOSFET | 模组板 | N沟道MOSFET,30V,15A,0.0089Ω@10V,SOT-1220(UDFN6B) | |
比较器 | 模组板 | 单比较器(CMOS), 5.5V,+/-2.75V,MP6C | |
L-MOS SHS系列(TC74LCX等效产品) | 模组板 | 单门逻辑(L-MOS),施密特反相器,SOT-363(US6) | |
L-MOS SHS系列(TC74LCX等效产品) | 模组板 | 单门逻辑(L-MOS),反相器,SOT-765(US8) | |
负载开关IC | 模组板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6E | |
负载开关IC | 模组板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6E | |
负载开关IC | 模组板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6G | |
负载开关IC | 模组板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6G | |
负载开关IC | 模组板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6G | |
负载开关IC | 模组板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6G | |
eFuse IC | 模组板 | 4.4V至13.2V/3.65A eFuse IC,53mΩ,WSON10 | |
eFuse IC | 模组板 | 4.4V至18V/5.0A eFuse IC,28mΩ,WSON10B | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 模组板 | N沟道MOSFET,30V,0.00065Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单30V<VDSS≤60V) | 模组板/ 基板 | N沟道MOSFET,40V,0.00085Ω@10V,SOP Advance(N),U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(N沟道单VDSS≤30V) | 模组板 | N沟道MOSFET,30V,0.0016Ω@10V,TSON Advance,U-MOSⅨ-H | |
负载开关IC | 基板 | 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC,WCSP6E | |
L-MOS SHS系列(TC74LCX等效产品) | 基板 | 单门逻辑(L-MOS),施密特反相器,SOT-363(US6) | |
CMOS逻辑IC | 基板 | 双单稳态多谐振荡器,SOIC16 | |
点稳压器(单路输出) | 基板 | 200mA固定输出LDO稳压器,4.8V,SOT-25(SMV) | |
偏置电阻内置晶体管(BRT) | 基板 | NPN偏置电阻内置晶体管(BRT),1kΩ/10kΩ,SOT-723(VESM) | |
偏置电阻内置晶体管(BRT) | 基板 | PNP偏置电阻内置晶体管(BRT),10kΩ/10kΩ,SOT-723(VESM) | |
开关二极管 | 基板 | 80V/0.1A开关二极管,SOD-523(ESC) | |
低压差(LDO)线性稳压器 | 模组板 | 高电压,低静态电流,快速负载瞬态CMOS线性稳压器 | |
低压差(LDO)线性稳压器 | 模组板 | 高电压,低静态电流,快速负载瞬态CMOS线性稳压器 |